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公开(公告)号：CN104445051A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410720797.2
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。
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公开(公告)号：CN101447775A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178327.8
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种采用立方相碳化硅材料制作的微机电系统谐振器件及其制作方法。本发明提出的谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器件，振动模式为横向振动和纵向振动。本发明提出的谐振器件采用衬底/隔离层1/隔离层2/牺牲层/立方相碳化硅结构层材料体系：即在衬底和立方相碳化硅材料层之间生长1－2层隔离层和1层牺牲层。以此来实现器件工作层和衬底之间的隔离和器件牺牲层厚度的精确控制。通过采用立方相碳化硅材料作为结构层材料能够有效提高谐振器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN101442010A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177781.1
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/365 , H01L21/308
Abstract: 本发明是一种在图形衬底上生长碳化硅(SiC)厚膜的方法。该方法通过采用光刻技术在硅衬底上获得图形，掩模版图形为平行长条状或正方形台面或它们的组合图形；然后在该图形化的硅衬底上采用化学气相沉积方法生长碳化硅厚膜。该发明生长的碳化硅膜在垂直台面方向纵向生长的同时在窗口区域进行横向合并生长，可以降低碳化硅外延层缺陷，提高外延碳化硅晶体质量；同时，在窗口区域合并后形成的中空结构可以释放应力，解决硅衬底和碳化硅之间大的失配带来的晶片翘曲问题，在碳化硅的大面积厚膜生长和快速生长技术中有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101240445A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063709.6
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；一中心调节器，为一筒状，两端具有法兰；一三通排气管，位于中央转动装置上的支撑座上，中央转动装置穿过该三通排气管的两端，该三通排气管通过法兰与中心调节器连接；一石英管反应生长室，石英管反应生长室罩扣于中央转动装置，并与三通排气管固定；一磁力旋转装置，位于中心调节器的下方，通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。
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公开(公告)号：CN118859379A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310473493.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 本公开提供了一种极紫外超透镜结构及电子设备。其中，该极紫外超透镜结构包括基底层以及超表面层，基底层用于作为极紫外超透镜结构的支撑结构；超表面层设置在基底层上，设置有基于几何相位原理分布的纳米孔结构单元阵列，以通过改变纳米孔结构单元阵列中的每个纳米孔结构单元的分布旋转角实现改变出射极紫外光束的相位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115343503B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN117192657A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091231.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于空间分区复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层；该超透镜结构材料层分布有三种基于空间分区复用并满足几何相位原理的纳米结构单元阵列，第一纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1的圆形区域，用于对RGB入射光中的蓝光B进行聚焦；第二纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R1与R2之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的绿光G进行聚焦；第三纳米结构单元阵列位于超透镜中心半径为R2与R3之间的圆环区域，用于对RGB入射光中的红光R进行聚焦；第一至第三纳米结构单元阵列的焦距或焦点一致。利用本发明，解决了现有消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。
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公开(公告)号：CN116779426A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210732175.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/285
Abstract: 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、用途，该掩膜结构包括：衬底层；器件安置区，为衬底层上的通孔结构；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层内包含镂空区，镂空区位于器件安置区的上方。
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公开(公告)号：CN116224571A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310177697.9
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种可变光衰减器阵列结构和电子设备。其中，该可变光衰减器阵列结构包括遮光结构和透镜结构。遮光结构接收入射光束的入射，用将入射光束转换成衰减光束；透镜结构位于遮光结构下方，用于将衰减光束转换为消色差聚焦光束，其中，透镜结构包括透镜基片、消色差超构透镜和聚焦超构透镜。消色差超构透镜位于朝向遮光结构的透镜基片的表面上；聚焦超构透镜位于背向遮光结构的透镜基片的表面上。因此，可以实现平面化的消色差超构透镜和聚焦超构透镜，在仅增加一晶圆基片的情况下，就实现了消色差和聚焦，取得了良好的光学性能。
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公开(公告)号：CN104538290B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
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