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公开(公告)号：CN108254106B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810093230.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/84
Abstract: 本公开提供了一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，该方法包括：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；在硅片的面上制作出谐振子；制作封装盖板，将玻璃片带有谐振子的面与封装盖板对准键合，形成贴片元器件的功能电极；制作玻璃感压薄膜和带导压孔的硅保护盖板，并将二者对准键合，制成压力传感器芯片。该制备方法完全与CMOS工艺兼容，利用本发明可以大批量制造无引线高真空封装的谐振式MEMS压力传感器，该传感器在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN108254106A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810093230.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本公开提供了一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，该方法包括：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；在硅片的面上制作出谐振子；制作封装盖板，将玻璃片带有谐振子的面与封装盖板对准键合，形成贴片元器件的功能电极；制作玻璃感压薄膜和带导压孔的硅保护盖板，并将二者对准键合，制成压力传感器芯片。该制备方法完全与CMOS工艺兼容，利用本发明可以大批量制造无引线高真空封装的谐振式MEMS压力传感器，该传感器在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN108147361A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711414428.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底上做掺杂，形成高浓度硼掺杂层；步骤2：在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀，定义出硅纳米线压敏电阻；步骤3：热氧化，调节压敏电阻的硅纳米线尺寸，同时形成钝化保护层；步骤4：光刻、刻蚀，在压敏电阻的硅纳米线两端制作出电学接触孔，形成基片；步骤5：在基片的表面淀积金属层，使金属沉积在电学接触孔内，形成欧姆接触、电学互联引线和压焊焊盘；步骤6：在背面深刻蚀制作出背腔，获得感压薄膜，形成结构层；步骤7：将一玻璃层与结构层的背腔面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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公开(公告)号：CN105174209A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510326079.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种晶圆级光刻机键合方法，包括如下步骤：制作第一带通孔晶圆；取一第一支撑片，在支撑片上面的侧边制作第一保护片；在第一保护片上粘接第一带通孔晶圆，形成下底片；制作第二带通孔晶圆；取一第二支撑片，在第二支撑片上面的侧边制作第二保护片；在第二保护片上粘接第二带通孔晶圆，形成上盖片；在下底片上面的侧边制作键合材料层；通过光刻机将上盖片和下底片对准扣置，使第一带通孔晶圆和第二带通孔晶圆相对键合；去除下底片中的第一支撑片和第一保护片；去除上盖片中的第二支撑片和第二保护片，加热固化，完成键合。本发明通过在光刻机中实现带通孔圆片键合，提高了对准精度。该方法具有工艺简单和成本低的优势。
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公开(公告)号：CN104876180A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213917.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳化硅片上制备薄膜层或不制备第二碳化硅片；步骤5：将第一和第二碳化硅片制备有薄膜层的一面相对进行热压键合或者进行静电键合，将第一和第二碳化硅片键合在一起；步骤6：退火，完成制备。本发明解决了传统方法中高温高压的极端键合条件及中间异质层带来的问题，为SiC MEMS相关器件的研制和实用化提供一种有效方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103641063A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706907.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备图形化多孔硅结构的方法，包括：步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。本发明提供的掩膜体系可以实现不同厚度和图形尺寸的多孔硅图形、单面／双面多孔硅图形及自支撑多孔硅图形等。
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公开(公告)号：CN101996935B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910091406.4
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为导电桥存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为导电桥存储器的金属离子源；淀积一层绝缘材料作为金属离子的扩散层；淀积金属，作为导电桥存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷。
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公开(公告)号：CN102623307A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210088596.6
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
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公开(公告)号：CN108117041A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711414427.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂，形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层；步骤2：用氢氟酸清洗，碱溶液清洗，RCA清洗；步骤3：采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅层；步骤4：在富氮氮化硅层的一面光刻、刻蚀，制作出微纳结构凹槽；步骤5：在碱性溶液中溶解掉单晶硅衬底的部分本体硅，形成可动微纳结构；步骤6：在氢氟酸中除去富氮氮化硅层，RCA清洗，获得浓硼掺杂硅的可动微纳结构。本发明的制备方法，可以准确、低成本制作出所设计的单晶硅微纳可动结构，有望在MEMS传感器制备加工中得到广泛应用。
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