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公开(公告)号：CN102339731A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110199995.5
申请日：2011-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
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公开(公告)号：CN1804114A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510092786.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场制作所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/66
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。
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公开(公告)号：CN1794421A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132170.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN119585857A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053950.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 本公开的一形态的基板处理装置具备：处理容器，其收纳排列为多层的多个基板；处理气体供给管，其沿着所述多个基板的排列方向延伸，向所述处理容器内供给处理气体；以及一对非活性气体供给管，其设于沿着所述基板的周向隔着所述处理气体供给管的位置并且沿着所述排列方向延伸，向所述处理容器内供给非活性气体，所述一对非活性气体供给管构成为朝向所述处理容器的侧壁的内表面喷射所述非活性气体。
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公开(公告)号：CN109860021B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201811367054.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供了保护膜形成方法。该方法中，在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜。然后，通过蚀刻除去沉积在平坦表面区域上的氧化物膜的侧部。
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公开(公告)号：CN103031530B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210371168.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
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公开(公告)号：CN102732856B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210091746.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/45563 , C23C16/4583 , H01L21/02164 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种立式分批式成膜装置，该立式分批式成膜装置具有：处理室，其用于一并对多个被处理体进行成膜；加热装置，其用于加热被处理体；排气机构，其用于对处理室的内部进行排气；收容容器，其用于收容处理室；气体供给机构，其用于向收容容器的内部供给处理所使用的气体；多个气体导入孔，其设于处理室的侧壁，处理所使用的气体经由多个气体导入孔以与多个被处理体的处理面平行的气流向处理室的内部供给，并且在处理室内未设定炉内温度梯度就一并对多个被处理体进行成膜。
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公开(公告)号：CN102339731B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110199995.5
申请日：2011-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。该清洗方法在供给成膜用气体而在被处理体上形成非晶形碳膜之后，除去被附着在装置内部的附着物，包括：加热工序，将上述反应室内和连接于该反应室的排气管内的至少一者加热到规定的温度；除去工序，通过向在上述加热工序中加热后的反应室内和排气管内的至少一者供给含有氧气和氢气的清洁气体而将清洁气体加热到规定的温度，从而使清洁气体所含有的氧气和氢气活化，利用该活化后的氧气和氢气除去被附着在装置内部的附着物。
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公开(公告)号：CN103088313A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210419154.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜。由此，提高了碳膜的密合性，而且即使进行除去无用的碳膜的清洁处理，也会残留耐受性预涂膜。
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公开(公告)号：CN102732856A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210091746.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/45563 , C23C16/4583 , H01L21/02164 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种立式分批式成膜装置，该立式分批式成膜装置具有：处理室，其用于一并对多个被处理体进行成膜；加热装置，其用于加热被处理体；排气机构，其用于对处理室的内部进行排气；收容容器，其用于收容处理室；气体供给机构，其用于向收容容器的内部供给处理所使用的气体；多个气体导入孔，其设于处理室的侧壁，处理所使用的气体经由多个气体导入孔以与多个被处理体的处理面平行的气流向处理室的内部供给，并且在处理室内未设定炉内温度梯度就一并对多个被处理体进行成膜。
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