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公开(公告)号：CN108695149A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275297.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32559 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/002 , H01J2237/334 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
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公开(公告)号：CN105316649A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: C23C16/36
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN103031530A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210371168.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
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公开(公告)号：CN108695149B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201810275297.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
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公开(公告)号：CN103031530B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210371168.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101812724A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010115673.3
申请日：2010-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/0236 , C23C16/4404 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种硅成膜装置及其使用方法。该硅成膜装置的使用方法按照下述的顺序进行各种处理：用硅涂层膜覆盖反应管的预涂层处理、对产品用被处理体上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理、在产品用被处理体上形成硅产品膜的硅成膜处理、以及对反应管上的硅膜进行蚀刻的清除处理。在预涂层处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到反应管内。在蚀刻处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域和第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将蚀刻气体供给到反应管内。
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公开(公告)号：CN105316649B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: C23C16/36
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN103898472A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310741893.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0218 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。
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公开(公告)号：CN101409232A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810167500.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
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公开(公告)号：CN103898601B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310741406.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序：（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。
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