公开(公告)号：CN1804114A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN1804114B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN103088311B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210418546.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  柿本明修 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。

公开(公告)号：CN104347353A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN102347266B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110216875.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边将久 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76227

Abstract: 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。

公开(公告)号：CN103094077A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210421314.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN103088311A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210418546.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  柿本明修 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。

公开(公告)号：CN101789361B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010106483.5

申请日：2010-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  菊地清隆 ,  村上博纪 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序，以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。

公开(公告)号：CN102560417A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110433909.2

申请日：2011-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  渡边要介 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。

公开(公告)号：CN102543795A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。