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公开(公告)号：CN103531462A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310268788.X
申请日：2013-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/31111
Abstract: 本发明提供一种氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置。该氧化硅膜的形成方法包括以下工序：成膜工序，向容纳有多张被处理体的反应室内供给含有氯的硅原料，并在上述多张被处理体上形成氧化硅膜；以及改性工序，向上述反应室内供给氢和氧或者氢和一氧化二氮而使该反应室内处于氢和氧的气氛下或者氢和一氧化二氮的气氛下，对利用上述成膜工序形成的氧化硅膜进行改性。
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公开(公告)号：CN103526178A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310279436.4
申请日：2013-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , H01L21/316 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , H01L21/02104 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/31111
Abstract: 本发明提供一种硅氧化膜的形成方法及其形成装置。该硅氧化膜的形成方法具备：成膜工序，向收纳有多个被处理体的反应室内供给含氯原子的硅源，并在所述多个被处理体上形成硅氧化膜，其中，在所述成膜工序中，向所述反应室内供给氢气气体并使该反应室内处于氢气气氛下。
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公开(公告)号：CN102737957B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210090806.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67309 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
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公开(公告)号：CN103681307A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310432378.4
申请日：2013-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/022 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该方法具备如下步骤：重复前述氧化硅膜形成工序以及前述氮氧化硅膜形成工序，在前述多片被处理体上形成前述氧化硅膜和前述氮氧化硅膜的层叠膜。
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公开(公告)号：CN119920685A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411476221.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/67
Abstract: 一种基板处理方法和基板处理装置，提供能够提高绝缘膜中的氘浓度的技术。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有绝缘膜的基板；将所述基板从第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度；以及将所述基板维持为所述第二温度，其中，升温至所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气和氢气中的至少一种气体，维持为所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102737957A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210090806.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67309 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
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公开(公告)号：CN104064446B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410109233.5
申请日：2014-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/3105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置。具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。
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公开(公告)号：CN103681307B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201310432378.4
申请日：2013-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/022 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该方法具备如下步骤：重复前述氧化硅膜形成工序以及前述氮氧化硅膜形成工序，在前述多片被处理体上形成前述氧化硅膜和前述氮氧化硅膜的层叠膜。
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公开(公告)号：CN102732856B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210091746.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/45563 , C23C16/4583 , H01L21/02164 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种立式分批式成膜装置，该立式分批式成膜装置具有：处理室，其用于一并对多个被处理体进行成膜；加热装置，其用于加热被处理体；排气机构，其用于对处理室的内部进行排气；收容容器，其用于收容处理室；气体供给机构，其用于向收容容器的内部供给处理所使用的气体；多个气体导入孔，其设于处理室的侧壁，处理所使用的气体经由多个气体导入孔以与多个被处理体的处理面平行的气流向处理室的内部供给，并且在处理室内未设定炉内温度梯度就一并对多个被处理体进行成膜。
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公开(公告)号：CN104064446A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410109233.5
申请日：2014-03-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/3105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置。具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。
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