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公开(公告)号：CN102737957B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210090806.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67309 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
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公开(公告)号：CN101118841A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710140224.2
申请日：2007-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345
Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上形成多个气体喷出孔，该气体喷出孔在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向排列，并且与上述气体供给管路连通。将处理气体供给上述处理区域的气体供给系统，经由上述气体供给管路和上述多个气体喷出孔与上述气体供给管路的底部连接。
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公开(公告)号：CN1763915A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510112808.X
申请日：2005-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/3205 , C23C16/44 , C23C14/22
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。
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公开(公告)号：CN102534549B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110457396.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
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公开(公告)号：CN103031530A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210371168.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102737957A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210090806.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67309 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
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公开(公告)号：CN102534549A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110457396.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402
Abstract: 本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
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公开(公告)号：CN112956003B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
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公开(公告)号：CN114267579A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111049655.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够扩大膜厚的面内分布的调整范围的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状，在侧壁形成有排气狭缝；以及多个气体喷嘴，其沿着所述处理容器的所述侧壁的内侧在铅垂方向上延伸设置，该多个气体喷嘴相对于将所述处理容器的中心和所述排气狭缝的中心连结的直线对称配置，该多个气体喷嘴分别向所述处理容器内喷出相同的处理气体。
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公开(公告)号：CN112956003A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071967.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
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