公开(公告)号：CN111725050A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010177565.2

申请日：2020-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 矢部和雄 ,  五十岚一将 ,  户根川大和

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。

公开(公告)号：CN102891075B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210251656.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN111725050B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202010177565.2

申请日：2020-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 矢部和雄 ,  五十岚一将 ,  户根川大和

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。

公开(公告)号：CN117198928A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310624811.8

申请日：2023-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚一将 ,  户根川大和 ,  小川淳 ,  田中有纪

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制对象膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备表面具有包含硅、碳以及氮的对象膜的基板；向所述对象膜供给氢气和氧气，使所述对象膜的表层氧化来形成氧化膜；以及对所述氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113921361A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110749578.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田吹圭司 ,  户根川大和 ,  五十岚一将 ,  矢部和雄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

公开(公告)号：CN103031530B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN102891075A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210251656.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN115087186A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210212618.9

申请日：2022-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林健 ,  安藤武 ,  五十岚一将

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够实现稳定的等离子体点火的点火方法和等离子体处理装置。该点火方法是在等离子体处理装置中的点火方法，上述等离子体处理装置包括：高频电源，其施加被控制为可变的频率的高频；等离子体生成部，其具有能够被施加上述高频的电极，从气体生成等离子体；和设置于上述高频电源与上述电极之间的匹配器，上述点火方法包括：从上述高频电源将第1频率的高频施加到上述电极，用上述等离子体生成部将等离子体点火的工序；和从上述高频电源施加上述第1频率的高频起经过规定时间后，施加与上述第1频率的高频不同的第2频率的高频。

公开(公告)号：CN103031530A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。