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公开(公告)号：CN114203532A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111051005.3
申请日：2021-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及气体导入构造和处理装置。提供一种能够向配置为多层的基板均匀地供给气体的技术。本公开的一技术方案的气体导入构造是沿大致圆筒形状的处理容器的长度方向延伸并向该处理容器内供给气体的气体导入构造，其中，该气体导入构造具有：导入部，其划分出导入室；喷出部，其划分出多个喷出室，所述多个喷出室分别包含向所述处理容器内喷出气体的多个气体孔；以及分支部，其与所述导入室连接，并且呈分支状与所述多个喷出室的数量对应地分支而划分出与所述多个喷出室连接的分支室。
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公开(公告)号：CN113818008B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110652056.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。
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公开(公告)号：CN119585857A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053950.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 本公开的一形态的基板处理装置具备：处理容器，其收纳排列为多层的多个基板；处理气体供给管，其沿着所述多个基板的排列方向延伸，向所述处理容器内供给处理气体；以及一对非活性气体供给管，其设于沿着所述基板的周向隔着所述处理气体供给管的位置并且沿着所述排列方向延伸，向所述处理容器内供给非活性气体，所述一对非活性气体供给管构成为朝向所述处理容器的侧壁的内表面喷射所述非活性气体。
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公开(公告)号：CN114203534A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111055269.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够控制基板上的反应活性种的浓度分布的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：大致圆筒形状的处理容器；处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；排气构造体，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108220921A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711404461.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/4583 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67309 , C23C16/45591 , C23C16/45546 , C23C16/45559
Abstract: 成膜装置以及成膜方法。在对沿垂直方向多层地配置的状态的多个基板进行成膜处理时，使膜厚的面内均匀性和覆盖性能良好。成膜装置具有：基板保持构件，其以规定间隔沿垂直方向多层地保持多个被处理基板；处理容器，其收容保持有被处理基板的基板保持构件；处理气体导入构件，其具有对处理容器内的被处理基板平行地喷出处理气体的多个气体喷出孔，来向处理容器内导入处理气体；排气机构，其对处理容器内进行排气；以及多个气流调整构件，该多个气流调整构件分别与被处理基板相向地设置，其中，气流调整构件将从喷出孔对被处理基板平行地喷出的处理气体的气流调整为从位于该气流的下方的被处理基板的上方朝向该被处理基板的表面的气流。
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公开(公告)号：CN116960021A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310407798.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够抑制处理容器内的气体的流动不均。本公开的一个方式的基板处理装置具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。
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公开(公告)号：CN113818008A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110652056.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。
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公开(公告)号：CN306663249S
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202030742738.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体制造装置用反应管。
2.本外观设计产品的用途：本产品是在半导体制造成膜过程中，安装在成膜装置内，使产品晶圆与气体进行反应的管。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.设计2左视图与设计2右视图对称，省略设计2左视图;设计4左视图与设计4右视图对称，省略设计4左视图。
6.指定设计1为基本设计。
7.各设计的使用状态A‑A剖视参考图中D为本物品。-
公开(公告)号：CN306298547S
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202030347506.6
申请日：2020-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体成膜装置用供气喷嘴。
2.本外观设计产品的用途：本产品在半导体成膜装置内供给用于在晶片上成膜的气体的半导体成膜装置用供气喷嘴。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.各设计的仰视图与俯视图对称，因此，省略各设计的仰视图。
6.指定设计1为基本设计。
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