公开(公告)号：CN119020778A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410577132.4

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王允宣 ,  南廷勋 ,  金永权 ,  崔玹瑞 ,  金建佑 ,  成德镛 ,  任埈澔

IPC: C23C26/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt％至约5.5wt％，并且其中所述保护层的厚度为约100nm至约300nm。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN111211030B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910601953.6

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成基 ,  成珉圭 ,  成德镛 ,  李相昊 ,  全康民

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括：喷淋头，具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔，第二区域位于第一区域的外部；第一分布板，位于喷淋头上，并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道；以及流速控制器，位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小，从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。

公开(公告)号：CN117219485A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310681301.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奂 ,  成德镛 ,  金南均 ,  金珉成 ,  卢泳辰

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理设备包括：工艺室，在其中执行基板处理工艺；静电卡盘，其具有微腔；下电极，其被设置为与静电卡盘的下表面接触；高频电源，其将高频电力施加到下电极；导电支撑件，其被设置为与下电极的下部间隔开并且接地；以及放电抑制器，其位于下电极和导电支撑件之间，具有形成气体供应线的一部分的气体供应流动路径，并且通过三维打印来成型，其中，气体供应流动路径具有在高频电力所形成的电场的方向上具有5mm或更小的长度并且连接放电抑制器的上表面和下表面的空间部分。

公开(公告)号：CN107527782B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710325905.X

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  林龙浩 ,  全允珖 ,  郑和俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN109216251A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810620351.0

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉成 ,  朴明修 ,  吕东玧 ,  成德镛 ,  李秀浩 ,  全允珖

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。