公开(公告)号：CN110610842A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910371204.9

申请日：2019-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彣锡 ,  李天揆 ,  边益守 ,  宋昌宇 ,  郑盛夏 ,  韩东锡

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种低温蚀刻方法包括：冷却其上设置有晶片的基座；通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻晶片；以及通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到腔室中。

公开(公告)号：CN111276382A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910864306.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 路四清 ,  李天揆 ,  恭史野口

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理设备包括：处理腔室；衬底支撑卡盘，其被构造为支撑所述处理腔室中的衬底，该衬底支撑卡盘包括彼此对称地分离的上冷却通道和下冷却通道；和支撑卡盘温度控制器，其被配置为向上冷却通道供应第一冷却剂并向下冷却通道供应第二冷却剂。

公开(公告)号：CN110867363A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910519648.2

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 路四清 ,  野口恭史 ,  李天揆

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板，并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括：冷却器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却；加热器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热；以及三通阀，被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。

公开(公告)号：CN110867363B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910519648.2

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 路四清 ,  野口恭史 ,  李天揆

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板，并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括：冷却器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却；加热器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热；以及三通阀，被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。