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公开(公告)号：CN117747663A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310998041.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置可以包括：有源区域，其在第一方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上以彼此间隔开；栅极结构，其分别围绕多个沟道层；以及源极/漏极区域，其在栅极结构的至少一侧上位于有源区域上，并且接触多个沟道层，其中，栅极结构可以包括位于多个沟道层之中的最上的沟道层上的上部和在与多个沟道层竖直地重叠的区域中位于多个沟道层中的每一个之间的下部，其中，多个沟道层中的每一个在第一方向上的宽度可以小于栅极结构的下部之中的与相应的沟道层相邻的栅极结构的下部在第一方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN118738057A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311566711.0
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底；下图案，在基底上；沟道图案，在下图案上；源极/漏极图案，在沟道图案的两侧上；栅极结构，围绕沟道图案；接触电极，电连接到源极/漏极图案；蚀刻停止层，在栅极结构与接触电极之间；以及接触界面层，在源极/漏极图案上。接触界面层可以包括第一区域和第二区域，所述第一区域在源极/漏极图案与接触电极之间，并且所述第二区域在源极/漏极图案与蚀刻停止层之间。
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公开(公告)号：CN118073356A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310956500.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423 , H01L29/08
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，并且包括彼此间隔开且彼此竖直地堆叠的半导体图案；源/漏图案，连接到具有p型的半导体图案；栅电极，在半导体图案上，并且包括在相邻半导体图案之间的内部电极和在最上半导体图案上的外部电极；以及栅极介电层，在栅电极和半导体图案之间，并且包括与内部电极相邻的内部栅极介电层、以及从外部电极的底表面延伸到外部电极的侧表面的外部栅极介电层。外部电极和外部栅极介电层具有倒T形形状。
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公开(公告)号：CN119069511A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410507201.4
申请日：2024-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/732 , H01L27/082
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：至少一个阱区，在衬底中并且具有第一导电类型；杂质注入区，在阱区中并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并且沿第一方向布置；第一鳍结构，在杂质注入区上并且具有第二导电类型，其中，第一鳍结构包括交替地堆叠的第一半导体图案和第一牺牲图案；第一鳍结构上的第一接触部；第一外延图案，在阱区上并且具有第一导电类型；以及第二接触部，在第一外延图案上。
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公开(公告)号：CN118335747A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311204658.X
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/762 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一有源图案，在第一有源区上；第二有源图案，在第二有源区上；器件隔离层，填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽，器件隔离层具有凹形顶表面；第一栅电极，在第一有源区中；第二栅电极，在第二有源区中；栅切割图案，设置在第一栅电极与第二栅电极之间并将第一栅电极与第二栅电极分离；以及绝缘图案，在栅切割图案与器件隔离层的凹形顶表面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263313A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311414790.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在第一区域上；第一栅极结构，与第一有源图案相交；第一外延图案，连接到第一有源图案，并且包括n型杂质；第一源/漏接触部，穿透第一外延图案的上表面，并且连接到第一外延图案；第二有源图案，在第二区域上；第二栅极结构，与第二有源图案相交；第二外延图案，连接到第二有源图案，并且包括p型杂质；以及第二源/漏接触部，穿透第二外延图案的上表面，并且连接到第二外延图案。第一源/漏接触部的下表面比第二源/漏接触部的下表面低。
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公开(公告)号：CN117637808A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311028875.8
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区域；栅电极层，其与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上，在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，从有源区域顺序地设置，并且被栅电极层围绕；栅极间隔件层，其设置在栅电极层在第一方向上的侧表面上；以及源极/漏极区域，其设置在有源区域上，位于栅电极层的侧面上，并且连接到多个沟道层。多个沟道层之中的最上的沟道层包括沟道部分，沟道部分在第一方向上彼此分离，并且设置在栅极间隔件层下方。
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公开(公告)号：CN119300461A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410835867.2
申请日：2024-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种示例半导体器件包括：基板，包括有源图案；沟道图案，包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；内栅电极，在两个相邻的半导体图案之间；内栅极电介质层；以及内高k电介质层，在内栅电极和内栅极电介质层之间。内栅极电介质层包括上电介质层、下电介质层和内间隔物。内间隔物的第一厚度大于上电介质层或下电介质层的第二厚度。第一厚度大于内高k电介质层的第三厚度。
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公开(公告)号：CN119020778A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410577132.4
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt％至约5.5wt％，并且其中所述保护层的厚度为约100nm至约300nm。
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公开(公告)号：CN110400764B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910091001.4
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了气体注射器和晶圆处理设备，所述气体注射器包括：第一气体引入通道和第二气体引入通道，分别在第一方向上朝向处理室的中心轴延伸；第一旁路通道，在第二方向上从第一气体引入通道延伸，第二方向与第一方向基本垂直；第二旁路通道，在与第二方向相反的方向上从第二气体引入通道延伸；第一分流通道，在第一方向上与第一旁路通道分离，并且在与第二方向相反的方向上从第一旁路通道的出口延伸；第二分流通道，在第一方向上与第二旁路通道分离，并且在第二方向上从第二旁路通道的出口延伸；以及多个喷射孔，位于第一分流通道和第二分流通道的外表面中并且被造成喷射工艺气体。
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