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公开(公告)号：CN117219485A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310681301.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理设备包括：工艺室，在其中执行基板处理工艺；静电卡盘，其具有微腔；下电极，其被设置为与静电卡盘的下表面接触；高频电源，其将高频电力施加到下电极；导电支撑件，其被设置为与下电极的下部间隔开并且接地；以及放电抑制器，其位于下电极和导电支撑件之间，具有形成气体供应线的一部分的气体供应流动路径，并且通过三维打印来成型，其中，气体供应流动路径具有在高频电力所形成的电场的方向上具有5mm或更小的长度并且连接放电抑制器的上表面和下表面的空间部分。
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