公开(公告)号：CN111211080B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN108242382B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

公开(公告)号：CN110690096A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN110323117B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN111211080A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN110690096B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN108242382A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711417986.2

申请日：2017-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  金京善 ,  沈承辅 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  崔原荣

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：支撑晶片的静电卡盘；设置为围绕晶片的外周表面的调节环；设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环；以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环，边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面；其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。