公开(公告)号：CN120035135A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411256501.6

申请日：2024-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李到瑾 ,  金亮阧 ,  朴相郁 ,  徐旻揆 ,  李建烨 ,  李志惠 ,  洪定杓

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：导电图案，在基底上；下电极，连接到导电图案，并包括第一和第二部分；一个或多个电极侧壁支撑件，支撑下电极并接触下电极的侧壁；电极覆盖支撑件，设置在下电极上并接触下电极的顶面；电容器介电膜，在下电极、电极侧壁支撑件和电极覆盖支撑件上；以及上电极，在电容器介电膜上。下电极的第一部分随着其远离导电图案在第一方向上具有增大的宽度，并且下电极的第一部分的侧壁的斜率与下电极的第二部分的侧壁的斜率不同。

公开(公告)号：CN117939878A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311271667.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建烨 ,  金东昱 ,  金亮阧 ,  南象基 ,  朴相郁 ,  徐旻揆 ,  李到瑾 ,  张圣虎 ,  洪定杓

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体装置包括：下结构；下结构上的下电极，其中，每下电极包括第一下电极和在第一下电极上并且电连接至第一下电极的第二下电极；覆盖下电极的上电极；以及下电极与上电极之间电介质膜，其中，第一下电极包括柱状部分和在柱状部分上的突出部分，其中，突出部分具有接触第二下电极的复杂形状。

公开(公告)号：CN116193850A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211496038.3

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮阧 ,  金湳健 ,  金容焕 ,  朴相郁 ,  徐旻揆 ,  洪定杓

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有单元阵列区和外围区；下电极，设置在单元阵列区上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，覆盖下电极和至少一个支撑层；上电极，覆盖介电层；层间绝缘层，覆盖上电极的上表面和侧表面；外围接触插塞，在衬底的外围区上穿过层间绝缘层；以及第一氧化物层，在上电极和外围接触插塞之间。上电极包括在横向方向上从单元阵列区向外围区突出的至少一个突出区。第一氧化物层设置在至少一个突出区和外围接触插塞之间。

公开(公告)号：CN111128667A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910932187.1

申请日：2019-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  金光男 ,  金成妍 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  洪定杓

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。

公开(公告)号：CN109427529B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810722273.5

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成正模

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。

公开(公告)号：CN115966464A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211226835.X

申请日：2022-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珍荣 ,  洪定杓 ,  金亮阧 ,  金容焕 ,  朴相郁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768

Abstract: 形成半导体器件的方法可以包括：设置衬底，层形成在衬底上；在层上形成下硬掩模层，下硬掩模层包括硅；在下硬掩模层上形成上硬掩模图案，上硬掩模图案包括氧化物；通过使用上硬掩模图案作为蚀刻掩模并且使用包括基于金属氯化物的第一气体和基于氮化物的第二气体的蚀刻气体蚀刻下硬掩模层，形成下硬掩模图案；以及通过使用下硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻材料层，在层中形成多个接触孔。

公开(公告)号：CN107527782B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710325905.X

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  林龙浩 ,  全允珖 ,  郑和俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

公开(公告)号：CN109786201A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811215149.6

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  吴相录 ,  李恩雨 ,  金光男 ,  宣钟宇 ,  洪定杓

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0266 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。

公开(公告)号：CN109427529A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810722273.5

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成正模

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。

公开(公告)号：CN110752133B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910639176.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光男 ,  金成妍 ,  金亨俊 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  洪定杓

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。