-
公开(公告)号：CN116230820A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211601498.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的宽带方向偏转调控的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底层、Micro‑LED台面、谐振腔和光学超构表面；所述Micro‑LED台面由n‑掺杂区、多量子阱层、p‑掺杂区组成，光学超构表面由n层纳米结构组成，其中n≥1；所述谐振腔实现Micro‑LED的光束准直，所述光学超构表面实现Micro‑LED出射光的方向偏转调控；应用本技术方案可实现对多种波长电磁波的偏转角度独立调控。
-
公开(公告)号：CN113675129A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
-
公开(公告)号：CN114334640B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
-
公开(公告)号：CN118841360A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117835769A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410050005.9
申请日：2024-01-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K71/13 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传输层(Hole transport layer，HTL)/量子点（Quantum dots，QDs）/电子传输层（Electron transport layer，ETL）/金属电极组成，各个印刷薄膜直接图案化，其中每种功能层材料墨水均为定制，定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜，印刷薄膜厚度均匀，无咖啡环，进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高，可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。
-
公开(公告)号：CN114334640A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111522470.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L21/306 , H01L21/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN118598190A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410657196.5
申请日：2024-05-25
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的二维过渡金属氧化物（TMOs）薄膜的制备方法。其通过将用于二维TMOs生长的过渡金属氧化物前驱体和碱金属盐混合放置于衬底下方的刚玉舟内，然后经加热使混合粉末反应、熔融，再通过控制降温速率，从而在衬底上得到厚度可控的二维TMOs薄膜。该方法操作简单方便，重复性好，适用性广，可以实现大面积二维TMOs薄膜的制备，对二维TMOs的应用及后续研究具有重要意义，且制备出的TMOs薄膜结晶性良好、横向尺寸较大，为后续器件制备奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
-
公开(公告)号：CN115799243A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211569447.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.023 seconds)
