公开(公告)号：CN100563005C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200510059014.1

申请日：2005-03-24

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三洋电机株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  梅本光雄 ,  秋山雪治

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置制造方法，包括：准备半导体芯片的工序，该半导体芯片具有表面和背面，并具有半导体基板、在该半导体基板的上述表面侧形成的功能元件、在厚度方向贯通上述半导体基板之贯通孔内配置的与上述功能元件电连接的贯通电极、与上述贯通电极电连接并且从上述表面突出的表面侧连接部件、与上述贯通电极电连接并且在上述背面上所形成的凹部分内具有接合面的背面侧连接部件；准备固体装置的工序，在该固体装置的一个表面上形成用于与上述表面侧连接部件连接的固体装置侧连接部件；接合工序，通过保持上述半导体芯片的背面而使上述半导体芯片的表面与上述固体装置的上述一个表面相面对，将上述表面侧连接部件与上述固体装置侧连接部件接合。

公开(公告)号：CN1738027A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510091409.X

申请日：2005-08-10

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  高桥健司

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L27/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有表面及背面并在所述表面上形成了功能元件的半导体基板的所述表面上，形成比所述半导体基板的厚度更小的给定的深度的表面侧凹部的工序；向该表面侧凹部内供给非金属材料，将由该非金属材料制成的虚设塞子嵌入所述表面侧凹部中的虚设塞子形成工序；在该虚设塞子形成工序之后，将所述半导体基板的所述背面侧部分除去，将所述半导体基板薄型化为比所述表面侧凹部的深度更小的厚度，将所述表面侧凹部制成贯穿孔的薄型化工序；将所述贯穿孔内的所述虚设塞子除去的虚设塞子除去工序；在该虚设塞子除去工序之后，向所述贯穿孔供给金属材料，形成贯穿电极的工序。

公开(公告)号：CN100521176C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710196110.X

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。

公开(公告)号：CN100461371C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510091409.X

申请日：2005-08-10

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  高桥健司

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L27/00 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在具有表面及背面并在所述表面上形成了功能元件的半导体基板的所述表面上，形成比所述半导体基板的厚度更小的给定的深度的表面侧凹部的工序；向该表面侧凹部内供给非金属材料，将由该非金属材料制成的虚设塞子嵌入所述表面侧凹部中的虚设塞子形成工序；在该虚设塞子形成工序之后，将所述半导体基板的所述背面侧部分除去，将所述半导体基板薄型化为比所述表面侧凹部的深度更小的厚度，将所述表面侧凹部制成贯穿孔的薄型化工序；将所述贯穿孔内的所述虚设塞子除去的虚设塞子除去工序；在该虚设塞子除去工序之后，向所述贯穿孔供给金属材料，形成贯穿电极的工序。

公开(公告)号：CN100440467C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410098022.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三洋电机株式会社 ,  株式会社瑞萨科技 ,  株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  梅本光雄 ,  根本义彦 ,  高桥健司

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面，形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序；向上述凹部的内壁面供给不活泼的第1金属材料而形成氧化防止膜的工序；在该形成氧化防止膜的工序后，向上述凹部内供给含有比上述第1金属材料易氧化的金属的第2金属材料的工序；电连接上述第2金属材料与上述功能元件的工序；在残留上述氧化防止膜的状态下，从其背面去除上述半导体基板，使之变得比上述凹部的深度薄，将上述凹部形成为贯通基板的贯通孔，将上述第2金属材料形成为电连接上述表面侧与上述背面侧的贯通电极，同时形成为从上述背面侧突出的背面侧突起电极的薄型化工序。

公开(公告)号：CN100539090C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200580001557.6

申请日：2005-06-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  森藤忠洋 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，其具有形成有第1功能元件的第1功能面及与该第1功能面相反侧的面即第1背面；第2半导体芯片，其具有第2功能面，该第2功能面形成第2功能元件，并具有与所述第1半导体芯片的第1功能面相对的相对区域和该相对区域以外的区域即非相对区域；连接构件，其在所述第1功能面与所述第2功能面的相对部分，将所述第1功能元件和所述第2功能元件电连接；绝缘膜，其按照覆盖所述第2半导体芯片的非相对区域以及所述第1半导体芯片的第1背面的方式连续形成；重新布线层，其形成在该绝缘膜的表面，与所述第2功能元件电连接；覆盖所述重新布线层的保护树脂；和由所述重新布线层贯通所述保护树脂而被竖立设置的外部连接端子。

公开(公告)号：CN101015053A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029878.7

申请日：2005-10-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。

公开(公告)号：CN1950939A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014582.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/52 ,  H01L23/562 ,  H01L24/01 ,  H01L24/17 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/153 ,  H01L2924/183 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供一种半导体装置(1、21)，包括：固体装置(2、22)；半导体芯片(3)，其具有形成了功能元件(4)的功能面(3a)，使该功能面相面对于上述固体装置的表面，在与上述固体装置的表面之间保持规定的间隔而接合；绝缘膜(6)，其设置于上述固体装置的与上述半导体芯片的相对面(2a、22a)，并具有开口(6a)，该开口(6a)在垂直俯视该相对面的俯视中，形成为比上述半导体芯片大的尺寸；以及密封层(7)，其对上述固体装置和上述半导体芯片之间进行密封。

公开(公告)号：CN1943024A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011697.1

申请日：2005-08-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3452 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种布线基板(2、15)，其表面与半导体芯片(3)相对并接合，包括：连接电极(14)，该电极形成在与半导体芯片接合的接合面(2a、15a)上，用于与该半导体芯片连接；绝缘膜(6)，该绝缘膜形成在所述接合面上，具有用于使所述连接电极露出的开口(6a)；以及低熔点金属部(16)，该部在所述开口内，设置在所述连接电极上，由固相线温度比所述连接电极低的低熔点金属构成。

公开(公告)号：CN1538511A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410034639.8

申请日：2004-04-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 ,  谷田一真

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底2上未形成第一电极3的区域涂敷密封树脂4。准备端部形成有第二电极7的半导体芯片6，使该半导体芯片6的表面与衬底2的表面相对配置，自其背面使第一可动板8a向下动，按压半导体芯片6的端部，从而将第二电极7与第一电极3压接。然后，自其背面使第二可动板8b向下动，按压半导体芯片6的中央部，将密封树脂4填充在衬底2和半导体芯片6之间的空间中。