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公开(公告)号：CN117763921A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410001331.0
申请日：2024-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/20 , G06T17/20 , B23K1/012 , G06F119/08 , G06F119/12 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于真空汽相焊的芯片焊接工艺曲线仿真优化方法，用于指导微电子封装生产。根据真空汽相再流焊炉，得到仿真工艺参数，对给定工艺参数，进行仿真计算得到温度曲线；利用有限元仿真软件建立有限元仿真模型，将得到的温度曲线与IPC‑61D推荐的温度曲线进行比较；经过多次对比修正，得到最优工艺曲线，实现真空汽相再流焊炉工艺参数优化，为微电子封装生产提供了优化指导，降低了因经验调整真空汽相再流焊炉造成的损失。本发明的仿真参数包括真空汽相再流焊炉外观尺寸、芯片外观尺寸及材料参数、汽相液物性参数、加热器功率、抽真空次数、抽真空时间、抽真空目标真空度以及冷却时间等。
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公开(公告)号：CN116568009A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310644396.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种具有分段润湿性流道表面的液冷冷板及其制备方法，主要涉及一种能够增强流道沸腾作用的流道表面润湿性设计。本发明依据疏水和亲水两种表面特性增强沸腾作用的机理，提出了一种具有分段润湿性流道表面的液冷冷板，通过流道前部的疏水特性和流道后部的亲水特性，实现冷板沸腾传热系数的提升。提出了一种具有分段润湿性流道表面的液冷冷板制备方法，该方法包括以下四个过程：（1）流道的构建（2）流道表面的亲水性处理（3）疏水区域的构建（4）顶板盖合。
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公开(公告)号：CN116056431A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310258335.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于提供一种椭圆形扰流柱交错渐变分布在微流道内的散热器。主要由基板（1）、盖板（2）和热源（8）组成。盖板上设有进水口（9）、出水口（10）与热源（8）。基板内部设有入口主槽（3）、出口主槽（4）、矩形流道（5）和椭圆形扰流柱（6）、凹槽（7）。入口主槽和出口主槽均采用长方型结构，两槽的深度、长度和宽度均相同。在微通道侧壁存在凹槽，每一个凹槽的大小相等。微通道内部存在扰流柱，扰流柱之间的间距相等。在同一通道内，扰流柱宽度不同，渐变排列在通道内。流体在途径扰流柱与凹槽微结构之前压力分布均匀；流体流经微结构首先进入凹槽，通道截面突然变宽，使得流体产生局部紊流。流体流经扰流柱时可以有效促进边界层的生长,在流体中间部分产生新的边界层,且在局部位置产生较低的二次流及回流区,促进了冷却液的混合,相应地增强热传递。由于扰流柱是渐变排布，在入口处扰流柱的宽度较小，在出口处扰流柱的宽度较大，可以有效减小整体的压降损失，增强散热。
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公开(公告)号：CN113139323A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110572894.1
申请日：2021-05-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于有限元仿真的再流焊工艺曲线优化方法，用于为微电子封装生产提供了优化指导。根据德国ERSA HOTFLOW3/20型热风再流焊炉，得到再流焊炉参数；对给定工艺参数，进行仿真计算得出温度曲线；利用Fluent软件建立有限元仿真模型；将得到的温度曲线与IPC‑610D推荐温度曲线进行比对；通过多次比对，得到最优工艺曲线；实现热风再流焊工艺曲线优化，为微电子封装生产提供了优化指导，降低了因经验调整热风再流焊炉参数造成的损失。
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