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公开(公告)号：CN117878579A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410275097.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液态金属共形天线的电磁性能补偿方法，以子阵拓扑结构、阵元液态金属为调控因子，分析天线阵列在调控因子协同作用下的电磁性能补偿规律，建立液态金属共形阵列天线性能补偿数据模型，形成基于液态金属共形天线阵元拓扑结构调控的共形阵列天线性能补偿方法。该方法可针对复杂服役环境下共形阵列天线的温度场及结构场载荷分布变化，补偿受多场耦合作用下的共形天线性能，使其达到最佳的工作状态。
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公开(公告)号：CN117725770A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311236355.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G01N25/12 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明提出了基于沸腾曲线的液冷流道沸腾临界热流密度（CHF）判别方法，用于保证液冷流道沸腾散热系统的性能稳定。由于空间的限制，流道内沸腾易出现段塞流，此时流道壁面直接同蒸汽接触，热流密度迅速下降。通过绘制以热流密度为y轴，壁面过热度为x轴的流道沸腾曲线，由通过监视流道内两相流体流型转换成观察流道沸腾曲线的斜率变化来判别临界热流密度的发生。当流道沸腾曲线的斜率由正转负（测温点处曲线斜率由正转负且持续3个及以上测温点处的曲线斜率为负值）时，即可认为临界热流密度发生。该方法能够在不需要监视流道内两相流体流型的前提下，准确判断出临界热流密度在流道沿程发生的位置，且能得到临界热流密度发生时的热流密度大小，达到保证沸腾散热器性能稳定的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117763883A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311236356.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G01N25/12 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明提出了基于沸腾曲线的液冷流道沸腾起始点（ONB）判别方法，用于对液冷流道沸腾散热系统的传热性能进行评估。通过绘制以热流密度为y轴，壁面过热度为x轴的流道沸腾曲线，由通过监视流道内两相流体流型转换成观察流道沸腾曲线的斜率变化来判别沸腾起始点的发生。沸腾曲线开始较为平缓，壁面过热度随着热流密度的增长较快，工质处于单相流动状态；在某一点之后曲线斜率发生突变，尽管热流密度急剧增大，壁面过热度的增加却比较小，即为沸腾起始点（ONB）。该方法能够在不需要监视流道内两相流体流型的前提下，准确判断出沸腾起始点在流道沿程发生的位置，为评估液冷流道沸腾散热系统的传热性能提供了帮助。
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公开(公告)号：CN118170075A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410425051.2
申请日：2024-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明的一种用于微波光子组件的热电液冷复合温度调控方法，包括：微波组件、电源模块、单片机主控模块、显示模块、温度数据采集模块、热电制冷片（TEC）以及蠕动泵；电源模块用于给单片机驱动模块、显示模块、温度数据采集模块供电，其输出电压根据各模块的额定电压进行调节；单片机主控模块为系统控制核心，控制各模块按照预设指令工作并及时对反馈信号进行处理；微波组件由顶部盖板、底部微流道、内埋式芯片及热电制冷片构成，铂电阻温度检测器（RTD）贴合在芯片下方将温度信号传输给单片机主控模块进行处理。本发明的调控过程不同于传统的使用PID算法输出单路PWM值，而是通过模糊PID算法输出实时整定的PID参数值分别给TEC驱动模块和蠕动泵控制模块，采用TEC和内埋式液冷微流道两种散热方式结合的方法，实现系统运行过程中的稳定控制、复合温度控制。
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公开(公告)号：CN118137162A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410316946.2
申请日：2024-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，涉及一种电化学驱动的液态金属可重构共形天线。所属天线包括：PDMA封装板、NaOH储液器、射频电感，毛细管通道、液态金属储液罐、FR4基板、地板、DC＋RF端口、液态金属馈电、偏置三通和电源。PDMA封装板透明，封装毛细管通道、NaOH储液器和液态金属储液罐，便于观察液态金属流动情况。NaOH储液器通过射频电感调节电流和电压，驱动液态金属流动。毛细管通道引导、分配液态金属。FR4基板与共形表面曲率相符，支撑和固定PDMA封装板。地板提供结构支撑。DC＋RF端口连接外部电源和信号源。这种系统能通过电化学驱动改变液态金属分布，通过调整天线形态优化性能，适应不同环境需求。
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公开(公告)号：CN118061671A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410354712.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B41J2/07 , B41J29/393
Abstract: 本发明基于SAW压力传感器的应用，提出了一种用于喷墨优化的控制方法，为挤压式压电喷墨打印的控制提供优化指导。该方法将喷墨喷嘴喉部压力的采样信号值与额定值作比较，若偏差大于所设置阈值，则通过模型预测控制算法，对喷墨输入电压幅值进行线性时变闭环控制，使喷嘴输出墨滴的体积保持为规定值，达到精密打印加工要求。本文中使用的传感器为SAW压力传感器，安装在喷墨喷嘴喉部，该装置由刻蚀在压电基板上的多条IDT组成，当载荷作用在传感器上时，IDT受压力影响指条宽度与指条间距改变，导致SAW波长改变，从而获得压力数据。
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公开(公告)号：CN117763921A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410001331.0
申请日：2024-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/20 , G06T17/20 , B23K1/012 , G06F119/08 , G06F119/12 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于真空汽相焊的芯片焊接工艺曲线仿真优化方法，用于指导微电子封装生产。根据真空汽相再流焊炉，得到仿真工艺参数，对给定工艺参数，进行仿真计算得到温度曲线；利用有限元仿真软件建立有限元仿真模型，将得到的温度曲线与IPC‑61D推荐的温度曲线进行比较；经过多次对比修正，得到最优工艺曲线，实现真空汽相再流焊炉工艺参数优化，为微电子封装生产提供了优化指导，降低了因经验调整真空汽相再流焊炉造成的损失。本发明的仿真参数包括真空汽相再流焊炉外观尺寸、芯片外观尺寸及材料参数、汽相液物性参数、加热器功率、抽真空次数、抽真空时间、抽真空目标真空度以及冷却时间等。
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