一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法

    公开(公告)号:CN109298305B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201710607085.3

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种针对压接式IGBT模块子模组的测试装置及方法。装置包括:发射极引出端;栅极引出端;集电极引出端;压块,压块上表面构造有螺杆接触部,压块下表面构造有栅极接触部以及突出的压块压头,所述栅极接触部连接到所述栅极引出端,所述压块压头连接到所述发射极引出端;测试腔,测试腔内顶部构造有具备螺纹的螺杆安置口,测试腔内底部对应所述螺杆安置口的位置构造有用于安置所述待测试IGBT模块子模组的安置部;螺杆,其具备螺纹且与所述螺杆安置口匹配。本发明的装置的结构匹配压接式IGBT模块子模组,其可以辅助现有测试设备对压接式IGBT模块子模组进行测试。相较于现有技术中的设备,本发明装置结构简单,使用简便,具有很高的实用价值。

    驱动电路和变流器
    14.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220022605U

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202320696070.X

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本实用新型提供一种驱动电路,包括:驱动推挽电路,所述驱动推挽电路包括第一电源端、输出节点、第二电源端和驱动控制端,用于根据所述驱动控制端的控制信号控制所述输出节点的输出电压为第一电源端或第二电源端的电压;驱动电阻,用于根据所述输出节点的输出电压控制目标晶体管的栅极电压,其中,所述目标晶体管为上桥臂晶体管或下桥臂晶体管;负压抑制电路,用于根据所述第一电源端与所述输出节点之间的电压差来确定是否将所述目标晶体管的栅极电压钳位到与所述目标晶体管的源极电压相同。能够有效避免负向电压过大带来的栅极绝缘层加速退化或损坏的问题,且能够有效避免正向电压过大带来上下桥臂晶体管直通的问题。

    MOS型半导体器件的栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN219247698U

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202223601219.6

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的栅极驱动电路。该电路包括:驱动电压输出电路、第四电阻、采样电路、比较电路和阻值变换电路;阻值变换电路连接第四电阻两端以及比较电路的输出端,用于在驱动电压的无效沿时段内,在比较结果电压的电平状态表示模拟采样电压处于预设的连续电压区间时将MOS型半导体器件的栅极与驱动电压输出电路的输出端之间的等效电阻的阻值设置为一个相对较大值,在比较结果电压的电平状态表示模拟采样电压未处于预设的连续电压区间时将MOS型半导体器件的栅极与驱动电压输出电路的输出端之间的等效电阻的阻值设置为一个相对较小值。该电路有助于提高电路的安全性。

    高位取能电路
    17.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216490256U

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202122587046.6

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路,包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块;所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容;所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容;所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容;当主晶闸管的阳极为正电压时,端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路;当主晶闸管V1的阳极为负电压时,端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路,这样,整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电,延长了取电时间,提高了取电功率。

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