公开(公告)号：CN104934394A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410305752.9

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸田基也 ,  西川幸江 ,  高桥宣博 ,  赤池康彦

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/485 ,  H01L24/05 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 实施方式提供一种能够抑制晶片以及芯片的翘曲从而提高制造合格率的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层的表面上；多个第二电极，设置在所述第一电极上，与所述半导体层的所述表面平行的截面形状为具有50微米以下的边的矩形；以及树脂层，设置在所述多个第二电极之间，延展性比所述第二电极高。

公开(公告)号：CN103283042A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062905.6

申请日：2011-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 布谷伸仁 ,  赤池康彦 ,  井上佳代 ,  近藤且章 ,  松永德彦

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405

Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。

公开(公告)号：CN101997069A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010129983.0

申请日：2010-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 赤池康彦 ,  夏目嘉德 ,  小川雅章

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38

Abstract: 提供一种发光元件及其制造方法，在该发光元件中设置有导电性衬底、在导电性衬底上设置的金属膜、在金属膜上设置的发光层、在发光层的一部分上设置的电极、以及在金属膜的上表面和下表面中的至少一个表面中的包含电极的正下方的至少一部分的区域上设置的阻止电流通过的电流阻止层。另外，上述金属膜中的包含电极的正下方的至少一部分且与电流阻止层的正上方或正下方的一部分相当的第一部分从除此之外的部分分离开来。

公开(公告)号：CN1229877C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03101715.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山仁 ,  大桥健一 ,  山下敦子 ,  鹫塚章一 ,  赤池康彦 ,  吉武春二 ,  浅川钢児 ,  江头克 ,  藤本明

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99%以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。

公开(公告)号：CN1445869A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119983.6

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  中村隆文 ,  紺野邦明 ,  赤池康彦 ,  远藤佳纪 ,  近藤且章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。