公开(公告)号：CN1242497C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03119983.6

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  中村隆文 ,  紺野邦明 ,  赤池康彦 ,  远藤佳纪 ,  近藤且章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。

公开(公告)号：CN1445869A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119983.6

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  中村隆文 ,  紺野邦明 ,  赤池康彦 ,  远藤佳纪 ,  近藤且章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。