公开(公告)号：CN103283042B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180062905.6

申请日：2011-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 布谷伸仁 ,  赤池康彦 ,  井上佳代 ,  近藤且章 ,  松永德彦

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405

Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。

公开(公告)号：CN103283042A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062905.6

申请日：2011-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 布谷伸仁 ,  赤池康彦 ,  井上佳代 ,  近藤且章 ,  松永德彦

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405

Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。