公开(公告)号：CN1242497C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03119983.6

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  中村隆文 ,  紺野邦明 ,  赤池康彦 ,  远藤佳纪 ,  近藤且章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。

公开(公告)号：CN1132253C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96191004.6

申请日：1996-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  藤本英俊 ,  石川正行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/93

Abstract: 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。

公开(公告)号：CN100541836C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200410079795.6

申请日：2001-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  阿部洋久 ,  绀野邦明 ,  出井康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。

公开(公告)号：CN1231980C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02118697.9

申请日：2002-04-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  下村健二 ,  押尾博明 ,  小松健

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/38 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是在用树脂密封半导体发光元件的发光装置中，提供一种使可靠性和长期稳定性提高，可搭载数个芯片的小型化发光装置。通过将开口部形成略呈椭圆形状或略呈偏平圆形状，可在有限空间内有效配置数个芯片。在焊接金属线部位和固定基片部位之间设有切口，从而能防止粘接剂溢出，消除焊接不良现象。

公开(公告)号：CN1322018A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01122064.3

申请日：2001-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  阿部洋久 ,  绀野邦明 ,  出井康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。

公开(公告)号：CN1164934A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96191004.6

申请日：1996-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  藤本英俊 ,  石川正行

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/93

Abstract: 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。

公开(公告)号：CN101562225B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910133163.6

申请日：2002-04-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田康一 ,  押尾博明 ,  下村健二 ,  北岛知和 ,  高桥望 ,  高桥祐次 ,  上村俊也 ,  太田光一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/501 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光装置，它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110)，即使发光元件波长偏移，色调也不变化。

公开(公告)号：CN101562225A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910133163.6

申请日：2002-04-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田康一 ,  押尾博明 ,  下村健二 ,  北岛知和 ,  高桥望 ,  高桥祐次 ,  上村俊也 ,  太田光一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/501 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光装置，它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110)，即使发光元件波长偏移，色调也不变化。

公开(公告)号：CN1445869A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119983.6

申请日：2003-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田康一 ,  中村隆文 ,  紺野邦明 ,  赤池康彦 ,  远藤佳纪 ,  近藤且章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。

公开(公告)号：CN1224113C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02105300.6

申请日：2002-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  佐伯亮 ,  近藤且章 ,  岩本昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种半导体发光元件，不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件，包括：通过注入电流产生第一发光的有源层；以及吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光的吸收发光部，且所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差，在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内。