公开(公告)号：CN1707772A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510074824.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森田敏行 ,  丰田启 ,  松井嘉孝 ,  池谷文敏 ,  坂田敦子 ,  坚田富夫 ,  尾本诚一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。

公开(公告)号：CN1375871A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。