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公开(公告)号：CN108221046B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201711280650.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
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公开(公告)号：CN112038222A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010302443.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/302 , B23K26/50
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm-3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。
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公开(公告)号：CN105463576B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510617542.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。
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公开(公告)号：CN112038222B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010302443.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/302 , B23K26/50
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm‑3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。
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公开(公告)号：CN114624805A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111471755.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B6/00
Abstract: 发光装置具备：光源，从光出射面出射具有指向性的光；波导构造体，具有：具有与光出射面对置的入口的光波导路径以及从入口向光出射面侧突出的周壁部；和透镜，处于光出射面与入口之间。周壁部具有包围入口的内表面。在周壁部，光出射面侧的开口比入口侧的开口大。周壁部包含从光的光轴的方向来看而周壁部的内部空间比透镜小的窄口部位。周壁部的内表面至少在窄口部位，包含倾斜为越接近入口则内部空间越窄的倾斜面。透镜被配置为在周壁部的内部空间与窄口部位抵接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107099844B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN107230662B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710070667.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于防止具有劈开性的RAMO4基板的破坏。解决方法为一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基材部，所述RAMO4基材部在端部具有倾斜部。
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公开(公告)号：CN108221046A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711280650.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C30B25/205 , C30B7/005 , C30B29/403
Abstract: 本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
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公开(公告)号：CN107230737A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710056925.1
申请日：2017-01-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 冈山芳央
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/22 , H01L33/025 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的课题在于，提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。解决方法为一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。通过以该III族氮化物基板为解决手段，能够解决上述课题。上述课题即在于提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。为了解决该课题，提供一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。
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公开(公告)号：CN107230662A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710070667.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C30B29/22 , C01F17/0025 , H01L23/147 , H01L23/13
Abstract: 本发明的课题在于防止具有劈开性的RAMO4基板的破坏。解决方法为一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基材部，所述RAMO4基材部在端部具有倾斜部。
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