RAMO4基板和III族氮化物结晶的制造方法

    公开(公告)号:CN108221046B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201711280650.6

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本发明的目的在于,提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板,其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中,R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素,A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素,M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板,所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽,所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ,将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx,并将所述凸部的高度记作Wy时,满足tanθ≤Wy/Wx。

    RAMO4基板和III族氮化物结晶的制造方法

    公开(公告)号:CN108221046A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711280650.6

    申请日:2017-12-06

    CPC classification number: C30B25/205 C30B7/005 C30B29/403

    Abstract: 本发明的目的在于,提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板,其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中,R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素,A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素,M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板,所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽,所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ,将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx,并将所述凸部的高度记作Wy时,满足tanθ≤Wy/Wx。

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