公开(公告)号：CN112038222B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202010302443.1

申请日：2020-04-16

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 岩泽绫子 ,  冈山芳央 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  B23K26/50

Abstract: 本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm‑3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。

公开(公告)号：CN110391585A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910026152.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本贵敏

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种能够以高精度识别晶体方位的III族氮化物半导体基板及其制造方法。一种III族氮化物半导体基板，其具有包含{0001}面的主面，以规定的晶体方位为基准开裂，其具有：第1方位识别线，俯视观察时位于所述主面的端部；第2方位识别线，相对于所述规定的晶体方位的角度偏移比所述第1方位识别线更小；和标记，用于识别所述第2方位识别线。

公开(公告)号：CN113517630A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110262560.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本贵敏 ,  大野启

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40 ,  H01S5/14

Abstract: 本发明提供一种激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序，该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序，该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式，在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极(13)的工序；从氮化物半导体基板(10)切出具有多个发射极(13)的激光二极管条(20)的工序。

公开(公告)号：CN112038222A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010302443.1

申请日：2020-04-16

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 岩泽绫子 ,  冈山芳央 ,  冈本贵敏

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  B23K26/50

Abstract: 本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm-3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。