公开(公告)号：CN118534681B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410595482.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  王宇婷 ,  霍佳慧 ,  李杰 ,  杨定宇 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  潘雨东 ,  王灵之 ,  刘肖

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明公开了热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、利用单模单端口谐振器模型构建MIM超表面相位理论模型：定义两个无量纲参数分别描述MIM结构的吸收品质因数和辐射品质因数，并建立吸收品质因数和辐射品质因数与MIM结构之间的关系，获得MIM超表面相位理论模型；S2、将温度敏感相变材料VO2引入MIM结构，构建热光调控光自旋霍尔效应超表面结构：利用VO2随温度发生金属‑绝缘相变，介电常数随温度发生变化的性质，调节MIM结构的反射系数，实现温度对光自旋霍尔效应的调控；S3、利用仿真实验获取最佳结构参数：改变MIM结构参数，调整MIM超表面相位理论模型，并进行仿真实验，确定最佳结构参数。本发明采用上述热光可调控的VO2‑MIM超表面构建方法、VO2‑MIM超表面及应用，通过在MIM超表面中引入活性物质VO2，实现了对光自旋霍尔效应的热光调控，所产生的PSHE位移变化值ΔH增加，为光自旋霍尔效应的调控提供了新途径。

公开(公告)号：CN118896911A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410962186.2

申请日：2024-07-17

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 李杰 ,  邹雨欣 ,  罗莉 ,  丁佳跞 ,  陈柏宇 ,  刘波 ,  彭穗 ,  吴文娟 ,  杨旭 ,  杨雨婷 ,  董浩

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/01 ,  G01N21/3581

Abstract: 本发明公开了一种基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，属于偏振态检测领域，包括以下步骤：S1、设计由各向异性十字型超单元组成的超构表面的相位，并计算全斯托克斯参数的理论值；S2、构建超构表面的仿真模型，并计算全斯托克斯参数的仿真值；S3、将不同偏振态入射光的斯托克斯参数的理论值与仿真值进行对比，对全斯托克斯参数的理论值进行验证；S4、制备超构表面样品，计算全斯托克斯参数的实验值；S5、将不同偏振态入射光的全斯托克斯参数的理论值与实验值进行对比，以对全斯托克斯参数的理论值再次验证。本发明采用上述基于圆偏振复用超构表面的快照式太赫兹偏振检测方法，有效实现了太赫兹波段偏振信息的准确检测。

公开(公告)号：CN117886601A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410060575.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈沁懿 ,  吴文娟 ,  吴波 ,  李俊杰 ,  罗莉 ,  蒋芮 ,  陈民汇

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3，0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+，增加极性纳米微区数量，引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性，在室温附近诱导出弛豫相，且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变，从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法，制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。

公开(公告)号：CN116986896A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311241871.8

申请日：2023-09-25

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了阴离子取代改性的钛酸铋钠无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠无铅压电陶瓷的化学通式为：Bi0.51(Na0.82K0.18)0.5TiO3‑0.41xF0.41x，其中，0.2≤x≤1.0。本发明利用NaF取代Na2CO3，实现F‑取代O2‑，在钛酸铋钠基陶瓷中实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，非等价取代有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强极化强度，进而同时提升钛酸铋钠基陶瓷的压电性能和退极化温度，使之具有高的压电性能和宽的使用温度范围，压电常数d33可达122~170 pC/N，退极化温度Td可达77‑142℃。

公开(公告)号：CN116986895A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311241879.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  陶红 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的高压电性能无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷的化学通式为：Ba0.94Sr0.06Ti0.92Sn0.08O3‑0.08xS0.08x，其中，0.2≤x≤1。本发明通过利用SnS部分取代SnO2作为原料，实现S4‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂取代。相较于O2‑，S4‑的化学价更高，有利于建立非等价阴离子取代诱导的缺陷结构，并增大缺陷对的自发极化强度，从而增强极化强度，进而提升无铅压电陶瓷的压电和介电性能，压电常数d33最高可达1010~1700pC/N，室温相对介电常数εr可达6120~8830；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。

公开(公告)号：CN116553927B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310850112.5

申请日：2023-07-12

Applicant: 西南民族大学 ,  成都信息工程大学

Inventor： 陶红 ,  吴波 ,  吴文娟 ,  马健 ,  罗莉 ,  赵林 ,  尔古打机 ,  陈敏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种无铅压电陶瓷及制备方法，压电陶瓷的化学通式为：0.95K0.48Na0.52Nb0.95Sb0.05O3‑0.035(Bi0.5Ag0.5)ZrO3‑0.015BaZrO3‑xF2x‑0.004Fe2O3，其中，x为用BaF2替代原料中的BaCO3的摩尔百分数，x=20~100%。本发明采用BaF2取代BaCO3作为原料,实现氟离子对氧离子的取代，即阴离子掺杂，使制备的压电陶瓷材料的相变处介电峰锐化，相对介电常数为2303~3001，压电系数为410~480 pC/N，制备过程采用Fe2O3作为助烧剂，能够有效地降低材料的烧结温度，有助于提升陶瓷的致密性，获得高质量的陶瓷。

公开(公告)号：CN115793295B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211493684.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  郭峻林 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  王宇婷 ,  刘肖

IPC: G02F1/09 ,  G02F1/00 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法，包括棱镜和和置于所述棱镜下方的石墨烯‑金属异质结，所述石墨烯‑金属异质结由石墨烯层与金属层周期性交替叠加得到，所述石墨烯‑金属异质结的衬底材料为SiO2；线偏振高斯光束由棱镜耦合后，以θ角入射石墨烯‑金属异质结，并在外加磁场的作用下，在石墨烯‑金属异质结的界面反射发生光自旋霍尔效应，将光束分裂成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。本发明采用上述太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法，可大大增强左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的不对称分裂，从而在太赫兹磁场下，为增强光自旋霍尔效应横向位移和有效调控提供可能性。

公开(公告)号：CN115793295A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211493684.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗莉 ,  郭峻林 ,  彭穗 ,  刘波 ,  吴文娟 ,  王宇婷 ,  刘肖

IPC: G02F1/09 ,  G02F1/00 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法，包括棱镜和和置于所述棱镜下方的石墨烯‑金属异质结，所述石墨烯‑金属异质结由石墨烯层与金属层周期性交替叠加得到，所述石墨烯‑金属异质结的衬底材料为SiO2；线偏振高斯光束由棱镜耦合后，以θ角入射石墨烯‑金属异质结，并在外加磁场的作用下，在石墨烯‑金属异质结的界面反射发生光自旋霍尔效应，将光束分裂成左旋圆偏振光和右旋圆偏振光。本发明采用上述太赫兹频率下的磁光光自旋霍尔效应实验装置及其方法，可大大增强左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的不对称分裂，从而在太赫兹磁场下，为增强光自旋霍尔效应横向位移和有效调控提供可能性。

公开(公告)号：CN107098701B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201710298760.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈敏 ,  吴波 ,  吴文娟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了铌酸钾钠锂‑锆酸铋钠钾‑钪酸铋三元系无铅压电陶瓷，解决了陶瓷无法在高压电常数的情况下依然能保证较高的居里温度的问题。本发明的通式为：(0.995‑x)(K0.5Na0.5)0.97Li0.03NbO3‑xBi0.5(Na0.8K0.2)0.5ZrO3‑0.005BiScO3，式中，0≤x≤0.06。本发明同时兼具良好的压电性能和较高的居里温度，拓宽了陶瓷的温度使用范围。

公开(公告)号：CN111548157A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010334753.1

申请日：2020-04-24

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 吴波 ,  吴文娟 ,  陈敏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用，所述无铅电致伸缩陶瓷组分组成如下述通式所示:(1-x-y)(K0.6Na0.4)NbO3-xNaSbO3-yBi0.7Na0.5ZrO3-aFe2O3表示，通式中的x、y、a取值分别为：0.05≤x≤0.09，0.01≤y≤0.05，0.001≤a≤0.01。本发明所制备的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷具有良好的优异的电致伸缩应变、电致伸缩系数和温度稳定性，其电致伸缩应变可达0.1％、电致伸缩系数可达0.047m4/C2，且电致伸缩系数在室温至180℃的宽温区内保持稳定，可在驱动器和微位移控制器等电子器件中获得应用，对取代铅基电致伸缩材料具有重大意义。