公开(公告)号：CN102956447B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210285230.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。

公开(公告)号：CN103094077A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210421314.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。

公开(公告)号：CN102290359B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110165910.1

申请日：2011-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅利伸二 ,  佐藤泉 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67303 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供支承体构造、处理容器构造及处理装置。该支承体构造在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内支承要处理的多张被处理体(W)，包括顶板部(92)、底部(94)和多个支承支柱(96)，多个支承支柱(96)将顶板部和底部连结起来，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部(100)，并且，多个支承部中的最上层的支承部与顶板部(92)之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部(94)之间的距离均被设定为支承部之间的间距以下的长度。由此，抑制了在支承体构造的上下的两端部侧产生气体的湍流。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN102956447A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210285230.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。

公开(公告)号：CN102437071A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110303058.X

申请日：2011-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  佐藤泉

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67303

Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置，包括：立式的反应管，具有呈搁板状地保持多张基板且对基板进行热处理的基板保持件，在其周围配置有加热部；处理气体供给部，设在反应管的长度方向上，为了向保持在基板保持件的各基板供给处理气体，在与各基板相对应的高度位置形成有气体喷出口；排气口，形成在反应管的相对于反应管的中心来说与气体喷出口相反的一侧的位置，基板保持件具有：多个圆形状的保持板，每个保持板形成有多个基板载置区域，且各保持板彼此层叠；支柱，贯穿各保持板地在该各保持板的周向上设有多个，在反应管的径向上，支柱在使支柱的外侧部位处于与各保持板的外缘相同的位置或者比该位置靠内侧的位置贯穿各保持板，从而支承各保持板。

公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN102634773A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210028975.6

申请日：2012-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  佐藤泉 ,  浅利伸二

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。与分别形成有用于向反应管内供给Zr系气体、O3气体等处理气体的气体喷射口的第1体喷射器及第2气体喷射器相对独立地形成第3气体喷射器，在该第3气体喷射器上，沿着反应管的长度方向形成有狭缝，在切换处理气体时，通过从该狭缝向反应管内供给吹扫气体而该置换反应管内的气氛气体。

公开(公告)号：CN102263027A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110141591.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田豪繁 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

公开(公告)号：CN101078110B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200710104875.6

申请日：2007-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  小柳贤一 ,  荒尾孝 ,  宇根和德

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置，与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。