公开(公告)号：CN101299429A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810109915.0

申请日：2005-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 永井孝一 ,  菊池秀明 ,  佐次田直也 ,  尾崎康孝

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/115 ,  H01L27/08 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：电容器，其形成在半导体衬底上，且该电容器包含下电极、形成在该下电极上的介电膜和形成在该介电膜上的上电极；绝缘膜，其形成在该半导体衬底和该电容器上，该绝缘膜的表面被平坦化；平坦阻挡膜，其形成在该绝缘膜上，用于阻止氢和水扩散；该阻挡膜包含用于阻止氢和水扩散的第一膜及用于减轻由该第一膜所致的应力的第二膜。

公开(公告)号：CN101278391A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200580051763.8

申请日：2005-10-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐次田直也

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7687 ,  H01L28/56 ,  H01L28/57

Abstract: 在形成在铁电电容器的下部电极下方的自取向膜与其下方的导电插塞之间，形成厚度在10nm以下的薄SiOCH膜，从而阻断导电插塞中的晶粒取向对所述自取向膜的影响，并且在对所述SiOCH膜表面进行氮化处理，从而避免了，自取向膜中的金属元素被氧化膜表面的氧俘获从而不会发现初始的自取向特性的问题。

公开(公告)号：CN100362660C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN03825573.1

申请日：2003-04-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 和泉宇俊 ,  斋藤仁 ,  佐次田直也 ,  西乡薰 ,  永井孝一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 在形成强电介质电容器(23)后，通过高密度等离子CVD法或常压CVD法形成表面的倾斜度小的绝缘膜(24)。然后在绝缘膜(24)上形成氧化铝膜(25)。按照这样的方法，不会发生氧化膜(25)的覆盖范围低的问题，并且可以确实保护强电介质电容器(23)。

公开(公告)号：CN1926687A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042471.3

申请日：2004-05-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐次田直也 ,  横田龙也

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 具有：电容器，其形成于半导体基板10上，并具有下部电极32、形成于下部电极上的电介质膜34、和形成于电介质膜上的上部电极36；第一绝缘膜42，其形成于半导体基板上及电容器上；第一配线48，其形成于第一绝缘膜上，并与电容器电连接；第一氢扩散防止膜50，其以覆盖第一配线的方式形成于第一绝缘膜上，防止氢的扩散；第二绝缘膜58，其形成于第一氢扩散防止膜上，表面已被平坦化；第三绝缘膜62，其形成于第二绝缘膜上；第二配线70b，其形成于第三绝缘膜上；第二氢扩散防止膜72，其以覆盖第二配线的方式形成于第三绝缘膜上，防止氢的扩散。由于位于电容器上方的第二氢扩散防止膜平坦，所以可以可靠地防止电介质膜被氢还原。

公开(公告)号：CN1716609A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510009571.2

申请日：2005-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 永井孝一 ,  菊池秀明 ,  佐次田直也 ,  尾崎康孝

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在半导体衬底10上的第一绝缘膜26、掩埋在形成的下至源/漏扩散层22的第一接触孔28a内的第一导电塞32、形成在第一绝缘膜26上的电容器44、形成在第一绝缘膜26上并覆盖电容器44的第一氢扩散阻止膜48、形成在第一氢扩散阻止膜上且表面被平坦化的第二绝缘膜50、形成在第一氢扩散阻止膜48上且表面被平坦化的第二氢扩散阻止膜52、形成在第二绝缘膜50上的第二氢扩散阻止膜52、掩埋在形成的下至电容器44的下电极38或上电极42的第二接触孔56内的第二导电塞62、掩埋在形成的下至第一导电塞32的第三接触孔58内的第三导电塞62、以及连接到第二导电塞62或第三导电塞62的互连件64。

公开(公告)号：CN1714452A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825573.1

申请日：2003-04-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 和泉宇俊 ,  斋藤仁 ,  佐次田直也 ,  西乡薰 ,  永井孝一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 在形成强电介质电容器(23)后，通过高密度等离子CVD法或常压CVD法形成表面的倾斜度小的绝缘膜(24)。然后在绝缘膜(24)上形成氧化铝膜(25)。按照这样的方法，不会发生氧化膜(25)的覆盖范围低的问题，并且可以确实保护强电介质电容器(23)。

公开(公告)号：CN1638093A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410047552.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 置田阳一 ,  渡边纯一 ,  佐次田直也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。通过溅射工艺形成一用于覆盖铁电电容器的Al2O3层。优选根据铁电电容器所需的剩余极化量和疲劳容限优化Al2O3层的厚度，例如为10nm至100nm。接下来，通过在氧气氛中进行热处理，经由Al2O3层供应氧至PZT层。结果，弥补了PZT层中氧的不足。此时，由于Al2O3层抑制了PZT层中的Pb的挥发，且抑制了由Pb量的减少引起的疲劳容限的退化。随后，通过溅射工艺形成另一层Al2O3层作为第二保护层，用于对抗后续处理中的退化因素。Al2O3层的厚度优选为充分保护铁电电容器免于后续布线过程中的退化因素。