公开(公告)号：CN1926687A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042471.3

申请日：2004-05-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐次田直也 ,  横田龙也

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 具有：电容器，其形成于半导体基板10上，并具有下部电极32、形成于下部电极上的电介质膜34、和形成于电介质膜上的上部电极36；第一绝缘膜42，其形成于半导体基板上及电容器上；第一配线48，其形成于第一绝缘膜上，并与电容器电连接；第一氢扩散防止膜50，其以覆盖第一配线的方式形成于第一绝缘膜上，防止氢的扩散；第二绝缘膜58，其形成于第一氢扩散防止膜上，表面已被平坦化；第三绝缘膜62，其形成于第二绝缘膜上；第二配线70b，其形成于第三绝缘膜上；第二氢扩散防止膜72，其以覆盖第二配线的方式形成于第三绝缘膜上，防止氢的扩散。由于位于电容器上方的第二氢扩散防止膜平坦，所以可以可靠地防止电介质膜被氢还原。