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公开(公告)号：CN1983603A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710000712.3
申请日：2004-05-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/00 , H01L21/8247 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/49 , H01L27/11507 , H01L28/40 , H01L2224/02166 , H01L2224/05554 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式被提供在所述电路部分的外部；以及护圈图案，所述护圈图案被提供在所述电极焊盘和所述电路部分之间，以使所述护圈图案基本包围所述电路部分。所述护圈图案从所述半导体衬底的表面延伸到所述钝化膜。
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公开(公告)号：CN1901146A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610066109.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，其能实现微型化且高度集成的FeRAM超薄半导体芯片，其中尽管为薄型封装结构，但铁电电容器的特性退化能够得到抑制。利用其填充剂含量值设定在重量百分比90％－ 93％的范围内的密封树脂，将该半导体芯片塑封起来，从而形成封装结构。本发明的半导体器件包括：半导体芯片，包含通过排列多个半导体元件构成的存储器单元，每个半导体元件包含铁电电容器结构，该铁电电容器结构通过将具有铁电特性的铁电膜夹在两个电极之间构成；以及密封树脂，用以覆盖并密封上述半导体芯片，该半导体器件形成具有1.27mm或更低的安装高度的薄型封装结构。
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公开(公告)号：CN101051627A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710104102.8
申请日：2003-04-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/314
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基板上形成半导体元件后，在上述半导体元件的上方形成一个或两个以上的配线层。接着，在最上配线层的上方形成防止水分进入到其下层侧的水分进入防止膜。并且，在上述水分进入防止膜的上方，形成与上述半导体元件连接的焊盘按照这样的方法，可以更可靠地防止水分进入半导体元件中。
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公开(公告)号：CN1309082C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410007815.9
申请日：2004-03-02
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 西乡薰
IPC: H01L27/10 , H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及具有电容器的半导体器件。该器件的结构包括：通过要成为电容器下电极的板线(12a)上的介质膜(13)形成的电容器上电极(14a、14b)；连接到板线(12a)的一端并具有接触区的导电连接部分(12b)；在导电连接部分(12b)上的介质膜(13)上的接触区和板线(12a)的边缘之间形成的上导电图形(14c)，并且与电容器上电极(14a、14b)在同一层中。
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公开(公告)号：CN1841647A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510092678.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Al布线(导电焊盘)。然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Al2O3膜，作为抑制水分渗入到氧化硅膜中的防渗膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100429744C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510092678.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Al布线(导电焊盘)。然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Al2O3膜，作为抑制水分渗入到氧化硅膜中的防渗膜。
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公开(公告)号：CN101213667A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200580050942.X
申请日：2005-07-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/65 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 以覆盖焊盘电极(54a)周围且与该焊盘电极电绝缘的状态，形成具有水分以及氢阻挡功能的保护膜(56)。保护膜材料选择采用比绝缘材料更显著地表现出水分以及氢阻挡功能的具有耐湿性的导电材料，在本发明中采用钯(Pd)或含有钯的材料、或者铱(Ir)或铱氧化物(IrOx：典型情况为x＝2)或含有这些成分的材料。通过相对简单的结构，可充分可靠地防止水分以及氢侵入内部，从而能够实现可保持铁电电容器结构(30)的高性能的可靠性高的FeRAM。
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公开(公告)号：CN1551357A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007815.9
申请日：2004-03-02
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 西乡薰
IPC: H01L27/10 , H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/40
Abstract: 本发明涉及具有电容器的半导体器件。该器件的结构包括：通过要成为电容器下电极的板线(12a)上的介质膜(13)形成的电容器上电极(14a、14b)；连接到板线(12a)的一端并具有接触区的导电连接部分(12b)；在导电连接部分(12b)上的介质膜(13)上的接触区和板线(12a)的边缘之间形成的上导电图形(14c)，并且与电容器上电极(14a、14b)在同一层中。
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公开(公告)号：CN100424845C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610066109.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，其能实现微型化且高度集成的FeRAM超薄半导体芯片，其中尽管为薄型封装结构，但铁电电容器的特性退化能够得到抑制。利用其填充剂含量值设定在重量百分比90%-93%的范围内的密封树脂，将该半导体芯片塑封起来，从而形成封装结构。本发明的半导体器件包括：半导体芯片，包含通过排列多个半导体元件构成的存储器单元，每个半导体元件包含铁电电容器结构，该铁电电容器结构通过将具有铁电特性的铁电膜夹在两个电极之间构成；以及密封树脂，用以覆盖并密封上述半导体芯片，该半导体器件形成具有1.27mm或更低的安装高度的薄型封装结构。
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公开(公告)号：CN100362660C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN03825573.1
申请日：2003-04-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/76829 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: 在形成强电介质电容器(23)后，通过高密度等离子CVD法或常压CVD法形成表面的倾斜度小的绝缘膜(24)。然后在绝缘膜(24)上形成氧化铝膜(25)。按照这样的方法，不会发生氧化膜(25)的覆盖范围低的问题，并且可以确实保护强电介质电容器(23)。
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