公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN102738216A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210185646.2

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置，该半导体装置的特征在于：该绝缘基板的耐热温度为600℃以下，该多个单晶半导体元件为MOS晶体管，该MOS晶体管层叠有：第一栅极电极和侧壁；栅极绝缘膜；和该单晶半导体薄膜，该第一栅极电极与该单晶半导体薄膜的沟道自匹配，该侧壁与该单晶半导体薄膜的LDD区域自匹配，该第一栅极电极和该侧壁与该单晶半导体薄膜相比配置在上层。

公开(公告)号：CN101874294B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880117658.3

申请日：2008-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  守口正生 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置。该半导体装置的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序，在该第一工序中形成包括器件部的基体层，该器件部具有栅极电极以及覆盖该栅极电极而形成的平坦的层间绝缘膜，在该第二工序中，利用离子注入法向基体层注入剥离用物质，来形成剥离层，在该第三工序中，将基体层贴在基板上，在该第四工序中，沿剥离层分离并除去基体层的一部分，栅极电极及层间绝缘膜的剥离用物质的注入射程实质上相等。

公开(公告)号：CN101401195B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680053839.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置，利用离子注入的剥离方法，将形成于单结晶硅晶片(5)上的晶体管(70)暂时转印至第一临时支撑基板(30)上，在高温下对该第一临时支撑基板(30)实施热处理，恢复上述转印时在单结晶硅晶片(5)的晶体管沟道中产生的结晶缺陷，然后，将该晶体管(70)制成芯片并转印至TFT基板(80)上。制成芯片的晶体管(70)的转印使用离子注入的剥离方法以外的方法。

公开(公告)号：CN101874294A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117658.3

申请日：2008-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  守口正生 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置。该半导体装置的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序，在该第一工序中形成包括器件部的基体层，该器件部具有栅极电极以及覆盖该栅极电极而形成的平坦的层间绝缘膜，在该第二工序中，利用离子注入法向基体层注入剥离用物质，来形成剥离层，在该第三工序中，将基体层贴在基板上，在该第四工序中，沿剥离层分离并除去基体层的一部分，栅极电极及层间绝缘膜的剥离用物质的注入射程实质上相等。

公开(公告)号：CN101855704A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115930.4

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

公开(公告)号：CN101842871A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101689479A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021899.8

申请日：2008-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  斯蒂文·道罗斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

公开(公告)号：CN101523581A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036647.8

申请日：2007-12-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  德鲁斯·史蒂芬·罗伊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种能够实现半导体元件的细微化和低电阻化并且能够简化工序的半导体装置的制造方法、显示装置的制造方法、半导体装置、半导体元件的制造方法以及半导体元件。本发明的半导体装置的制造方法是制造在基板上具有半导体元件的半导体装置的方法，上述制造方法包括金属硅化物形成工序，该工序将具有硅层和金属层层叠结构的半导体元件转移到基板上，通过加热，由构成硅层中的金属层侧部分的硅和构成金属层中的硅层侧部分的金属形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN102652330B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。