-
公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
-
公开(公告)号：CN119525785A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411711250.6
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种多功能多向运动系统及方法，包括：轨道模块，轨道模块水平设置；多连杆框架，多连杆框架设置有两组，两组多连杆框架拼接形成L型支撑结构，台面固定在位于上方的多连杆框架上；支架模块，支架模块滑动连接在轨道模块上，位于下方的多连杆框架转动连接在支架模块上；旋转模块，旋转模块安装在支架模块上，旋转模块与位于上方的多连杆框架转件转动连接，旋转模块用于控制位于上方的多连杆框架旋转；电气控制模块，电气控制模块与轨道模块、旋转模块信号连接，用于控制多连杆框架旋转、平移。本发明通过调整工作台的位置和姿态，可以使得工作件处于最佳加工位置，并确保加工过程中的稳定性和精确性。
-
公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
-
公开(公告)号：CN116913764A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311015932.9
申请日：2023-08-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种碳化硅基氧化镓的SiO2介质层的制备方法。该制备方法包括：(1)将碳化硅基氧化镓放入升温装置中，以5℃/min‑20℃/min的升温速率升温至T1≥600℃；(2)在T1温度下保温10min以上；(3)保温结束后自然冷却。该制备方法可以在不额外增加薄膜沉积工艺下引入氧化硅介质层，有效调控氧化镓薄膜的结晶性和缺陷，修复界面缺陷提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN116043328A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310049219.X
申请日：2023-02-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括进气机构、初分散机构、孔板组件；所述进气机构的出气端开设有第一通气孔；所述初分散机构固定安装在所述进气机构的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述第一通气孔连通的导气孔组件；所述孔板组件固定安装在所述初分散机构远离所述第一通气孔的一端；所述孔板组件用于将所述导气孔组件内的气流分散后排出；其中，所述第一通气孔、所述导气孔组件、所述孔板组件的导流方向均与所述进气机构内气流方向垂直设置。本发明可将水平气流转换为均匀的垂直气流，解决现有水平外延炉的水平气流导致流场不均匀的缺陷，提高碳化硅外延片的成型质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110066985A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910352388.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆微结构材料的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按照一定比例同时通入原子层沉积（ALD）反应腔体，通过控制原子层沉积的反应循环次数，在微结构材料表面均匀包覆一层预定厚度的GaON薄膜。本发明公开的制备GaON薄膜包覆纳米微结构的方法，包覆厚度和包覆层薄膜的含量都可通过ALD工艺参数精确可调，操作简单，包覆后提升纳米微结构的光电性能效果显著。该方法在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109536921A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811530352.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/4554
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法。本发明以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。本发明利用PEALD制备得到不同厚度的均匀性较好的高质量薄膜，可以有效控制其化学计量比，这种薄膜主要用于制备LED发光器件，为硅基发光器件的制备提供了一种可行的薄膜。
-
公开(公告)号：CN119418786A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411398962.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学方法预测离子注入4H‑SiC过程中晶体缺陷率和应力的方法，包括1）建立离子注入4H‑SiC理论模型，得到结构的data文件；2）构建包含模拟参数和势函数的输入文件，即input文件；3）采用分子动力学方法进行离子注入模拟，并输出原子坐标和应力数据；4）根据原子轨迹绘制缺陷率随注入剂量的变化曲线；5）由应力数据计算不同注入剂量下各原子的时间平均的原子应力，导出应力分布图。本发明对离子注入4H‑SiC表面的过程进行分子动力学模拟，能够预测离子注入4H‑SiC过程中晶体材料的缺陷和原子应力变化，进而得出离子注入下4H‑SiC晶体中缺陷和原子应力的演变机理，为离子注入条件的选择提供理论指导。
-
公开(公告)号：CN118821598A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410853783.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , H01L21/265 , G06N20/10 , G06N3/096 , G06F18/21
Abstract: 本发明属于碳化硅功率器件制程技术领域，具体为一种基于机器学习的碳化硅功率器件离子注入优化方法。本发明方法包括获取历史碳化硅功率器件离子注入工艺数据，制作离子注入工艺优化样本数据集；并将样本数据集划分为训练集A1、训练集A2和测试集；利用训练集A1训练SVM预测模型，得到初始SVM预测模型；根据训练集A2，利用基于网络的迁移学习的方法对初始的SVM预测模型进行训练和验证，得到训练好的SVM预测模型；利用训练好的SVM预测模型对所述测试集进行测试。本发明能够提高工艺优化的速率及准确性，同时降低成本，减少废品率；能够高效适应各种不同的离子注入工艺条件与对应工艺结果的动态变化。
-
公开(公告)号：CN118398502A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410496213.1
申请日：2024-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别是涉及一种用于氧化镓的激光退火工艺。本发明工艺包括以下步骤：对电极和氧化镓的接触界面进行激光退火；所述激光退火的激光能量为0.05J·cm‑2～5J·cm‑2，波长为200～1000nm，扫描速度为100mm/s～1000mm/s。本发明实现了氧化镓与电极的欧姆接触，实现了低的比接触电阻率。本发明使用激光退火可以不用考虑氧化镓器件的加工顺序，氧化镓晶圆的背面工艺对器件正面功能不作影响。本发明相比于快速热退火下单片氧化镓只能在唯一的温度下退火，激光退火可以在单片氧化镓衬底上进行不同工艺参数下的退火，提高晶片的利用率，简化氧化镓器件制备流程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.019 seconds)
