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公开(公告)号：CN119418786A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411398962.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学方法预测离子注入4H‑SiC过程中晶体缺陷率和应力的方法，包括1）建立离子注入4H‑SiC理论模型，得到结构的data文件；2）构建包含模拟参数和势函数的输入文件，即input文件；3）采用分子动力学方法进行离子注入模拟，并输出原子坐标和应力数据；4）根据原子轨迹绘制缺陷率随注入剂量的变化曲线；5）由应力数据计算不同注入剂量下各原子的时间平均的原子应力，导出应力分布图。本发明对离子注入4H‑SiC表面的过程进行分子动力学模拟，能够预测离子注入4H‑SiC过程中晶体材料的缺陷和原子应力变化，进而得出离子注入下4H‑SiC晶体中缺陷和原子应力的演变机理，为离子注入条件的选择提供理论指导。
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