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公开(公告)号：CN109536921A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811530352.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/4554
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法。本发明以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。本发明利用PEALD制备得到不同厚度的均匀性较好的高质量薄膜，可以有效控制其化学计量比，这种薄膜主要用于制备LED发光器件，为硅基发光器件的制备提供了一种可行的薄膜。
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