-
公开(公告)号：CN118650509B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
-
公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
-
公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
-
公开(公告)号：CN118650509A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
