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公开(公告)号：CN101789370B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010136612.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的)，这是使用TaSiN所不能获得的。
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公开(公告)号：CN103718295A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037577.9
申请日：2012-07-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/823807 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/42364 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 一种结构具有半导体衬底（8）以及置于所述衬底（8）上的nFET和pFET。所述pFET具有形成在半导体衬底（8）的表面上或内的半导体SiGe沟道区、以及具有覆盖在所述沟道区上的氧化物层（20）和覆盖在所述氧化物层（20）上的高k电介质层（30）的栅极电介质。栅极电极覆盖栅极电介质并且具有邻接所述高k层的下金属层（40）、邻接所述下金属层（40）的清除金属层（50）以及邻接所述清除金属层（50）的上金属层（60）。
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公开(公告)号：CN103579319A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310298503.7
申请日：2013-07-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/4941 , H01L21/28052 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/42356 , H01L21/283 , H01L29/42372
Abstract: 本发明涉及层叠结构、半导体器件及其制造方法。一种集成电路器件包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅电极。所述栅电极结构包括位于所述半导体衬底上的由介电材料形成的绝缘层、位于所述绝缘层上的氧阻挡层以及位于所述氧阻挡层上的钨（W）金属层。
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公开(公告)号：CN103403858A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011970.0
申请日：2012-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L23/53266 , H01L29/517 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。
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公开(公告)号：CN101563780B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101427386B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200580016189.2
申请日：2005-03-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： N·A·小博亚尔祖克 , C·小卡布拉尔 , E·A·卡蒂尔 , M·W·库珀 , M·M·弗兰克 , E·P·古塞夫 , S·古哈 , R·詹米 , V·纳拉亚南 , V·K·帕鲁许里
IPC: H01L31/113
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823857 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlOxNy。所述高k电介质可以是HfO2、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H2O2过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。
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公开(公告)号：CN101789370A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010136612.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。
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公开(公告)号：CN101563780A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680039179.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/76
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28194 , H01L21/28238 , H01L21/823807 , H01L29/105 , H01L29/1083 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO2的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
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公开(公告)号：CN101427386A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580016189.2
申请日：2005-03-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： N·A·小博亚尔祖克 , C·小卡布拉尔 , E·A·卡蒂尔 , M·W·库珀 , M·M·弗兰克 , E·P·古塞夫 , S·古哈 , R·詹米 , V·纳拉亚南 , V·K·帕鲁许里
IPC: H01L31/113
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823857 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlOxNy。所述高k电介质可以是HfO2、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H2O2过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。
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公开(公告)号：CN101401211A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580046527.7
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。
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