公开(公告)号：CN101581930A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910006225.7

申请日：2009-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪青蓉 ,  林俊贤 ,  赖志维 ,  柯俊成 ,  罗冠腾 ,  左克伟 ,  陈炳旭 ,  余振华

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供了一种能够进行晶圆结果预测的方法，包含自各种半导体制造机台以及量测机台收集制造资料；根据制造资料使用自动关键参数萃取方法来选择关键参数；根据关键参数建构虚拟量测；以及利用虚拟量测来预测晶圆结果。

公开(公告)号：CN101170062A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710090481.X

申请日：2007-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  吴文进 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明有关于一种半导体制造方法及其设备。该半导体制造方法，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮罩上处理的部分。该设备是一种用于半导体制造方法的反应室，能使上述的蚀刻、处理及移除过程于此单一的反应室中进行。本发明能在不破坏多孔性低介电常数的介电物质情况下，进行光阻移除的过程。

公开(公告)号：CN110660702A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910567654.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资程 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  王咏生 ,  彭旸尹

IPC: H01L21/67 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。

公开(公告)号：CN101150910B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710085457.7

申请日：2007-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈映霖 ,  高季安 ,  陈柏仁 ,  萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动，因此，可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。

公开(公告)号：CN102593019A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110229006.2

申请日：2011-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张文耀 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  刘重希

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81098 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13139

Abstract: 在一种回流工艺中，将第一工作件和第二工作件之间的多个焊料凸块加热到熔化状态。在多个焊料凸块的固化阶段期间，在第一冷却率下将多个焊料凸块冷却。在完成固化阶段之后，在第二冷却率下将多个焊料凸块冷却，第二冷却率低于第一冷却率。本发明还公开了一种用于降低封装失效率的焊料接点回流工艺。

公开(公告)号：CN102176409A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110094561.9

申请日：2009-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  何明哲 ,  黄见翎 ,  洪瑞斌

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  Y10S414/135

Abstract: 一种半导体制造、处理及界面系统、容器、承载器及吸附装置。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及传送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中。一环境控制槽以及空气循环系统耦接着该封装室。本发明可以使晶片不再暴露于不良环境之中，从而提高了晶片的制造效率及产品质量。

公开(公告)号：CN101447400A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810169259.3

申请日：2008-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  洪瑞斌 ,  吴文进 ,  汪青蓉 ,  邱文智

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/67051 ,  H01L24/28 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19042 ,  Y10T156/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种芯片－晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗芯片；芯片－晶圆接合室，用以接受清洁组件的芯片，并将芯片接合到晶圆上。本发明还提供一种利用此接合装置的芯片－晶圆接合方法。本发明具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片－晶圆接合程序的优点。

公开(公告)号：CN101436062A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810172710.7

申请日：2008-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  王姿予 ,  柯俊成 ,  汪青蓉

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/32188 ,  G05B2219/32194 ,  Y02P90/22 ,  Y10S430/146

Abstract: 一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。

公开(公告)号：CN1982500A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610152333.1

申请日：2006-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种指示器的形成方法，包括下列步骤：提供一块状材料；形成多个贯穿孔于该块状材料中；以及分割该块状材料以成为多个分离的构件，每个构件包括一个上述贯穿孔，其中每个构件形成该指示器的围封物，该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的指示器的形成方法，可降低物理气相沉积靶材的消耗成本，制造成本以及增加获利。

公开(公告)号：CN103123915B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210182090.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志维 ,  何明哲 ,  杨宗翰 ,  汪青蓉 ,  张家栋 ,  郭宏瑞 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: G06F17/5077 ,  G06F17/5072 ,  H01L23/488 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14132 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 一种器件包括在封装组件(package component)的顶表面上的多个连接器。多个连接器包括具有第一横向尺寸的第一连接器、以及具有第二横向尺寸的第二连接器。第二横向尺寸大于第一横向尺寸。在平行于封装组件的主表面的方向上测量第一横向尺寸和第二横向尺寸。本发明还提供了一种调节封装组件的连接器的尺寸。