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公开(公告)号:CN115642111A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211415076.1
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号:CN110660702A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910567654.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号:CN110660702B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN201910567654.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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