半导体装置及其形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118676006A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410495488.3

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法,包括在一顶部晶粒中形成多个第一接合特征以及包括多个第一图样的一第一对准标记,并在一底部晶圆中形成多个第二接合特征以及包括多个第二图样的一第二对准标记。方法亦包括决定一第一基准点以及一第二基准点,并利用第一对准标记以及第二对准标记,将顶部晶粒与底部晶圆对准。俯视时,第一图样的至少两者沿着一第一方向排列,第一图样的至少两者沿着不同于第一方向的一第二方向排列。通过将通过第一基准点以及第二基准点的一虚拟轴线调整为与第一方向大致上平行而使得顶部晶粒与底部晶圆对准。

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