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公开(公告)号:CN115642111A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211415076.1
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号:CN110660702B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN201910567654.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号:CN114628277A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202110424481.9
申请日:2021-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种管理重叠对准的方法及系统以及计算系统。本公开描述使用机器学习来管理半导体制造中的竖直对准或重叠的技术。通过所公开的技术来评估和管理扇出型晶片级封装工艺中的内连线特征的对准。大数据和机器学习用于训练使重叠误差源因子与重叠计量类别相关的分类。重叠误差源因子包含工具信号。训练分类包含基础分类和元分类。
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公开(公告)号:CN118676006A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410495488.3
申请日:2024-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法,包括在一顶部晶粒中形成多个第一接合特征以及包括多个第一图样的一第一对准标记,并在一底部晶圆中形成多个第二接合特征以及包括多个第二图样的一第二对准标记。方法亦包括决定一第一基准点以及一第二基准点,并利用第一对准标记以及第二对准标记,将顶部晶粒与底部晶圆对准。俯视时,第一图样的至少两者沿着一第一方向排列,第一图样的至少两者沿着不同于第一方向的一第二方向排列。通过将通过第一基准点以及第二基准点的一虚拟轴线调整为与第一方向大致上平行而使得顶部晶粒与底部晶圆对准。
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公开(公告)号:CN110660702A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910567654.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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