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公开(公告)号：CN112833821A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011641357.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
IPC: G01B11/25
Abstract: 本发明公开一种高密度IC焊点的微分几何立体微视觉检测系统及方法，该系统包括稠密焊点离散点云获取系统，由两台带有金相显微镜的彩色CCD数字相机构成的双目立体视觉系统和半球形LED阵列照明系统组成；焊点微分几何特征参数计算模块以空间离散点法向量为依据的主方向和主曲率估计方法，对焊点表面离散点云脊点提取和脊线跟踪；焊点分类决策模块基于Frenet活动标架的焊点类型模型匹配规则，实现对焊点快速准确检测分类。本发明利用双目微视系统并通过微分几何理论实现焊点表面离散点云特征提取，为微米级三维重构提供一种新途径，降低以CT扫描进行微米级重构成本；基于微分几何特征的脊线分析方法大大简化焊点识别分类过程。
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公开(公告)号：CN114881934B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210384125.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的柔性IC基板表面缺陷分层分类方法，该方法包括下述步骤：构建基于神经网络的柔性IC基板缺陷分层分类树状模型，包括根节点、分支节点和叶节点；根节点对不同批次IC基板进行身份辨识并选择性激活对应分支节点模型；分支节点对应不同的批次，每个分支节点模型通过均衡概率分布的数据集组织策略结合支持向量机对IC基板健康状态进行二分类，叶节点协同根节点对输出的缺陷数据进行分类并溯源缺陷位置，利用基于多尺度特征稠密金字塔连接的YOLOv3检测器执行缺陷分类和位置溯源。本发明实现IC基板多批次身份识别和缺陷类型快速分类和定位，提高了深度学习模型在非平衡数据集下的学习性能及缺陷检测准确率。
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公开(公告)号：CN113192027B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110471256.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED模组封装缺陷的检测方法及应用，该方法包括焊线缺陷检测和荧光粉胶均匀度检测步骤；焊线缺陷检测步骤包括：将LED图像并转换为HSI模型，取i分量基于变分Retinex模型进行图像增强；对图像焊线轮廓进行特征识别；将待测板与标准板进行图像配准，对缺陷部分进行形态学操作得到缺陷轮廓，标记缺陷部分；荧光粉胶均匀度检测步骤包括：取h分量和s分量之和基于变分Retinex模型进行图像增强；将待测板与未贴上荧光粉胶的标准板进行图像配准，做差值运算得到荧光粉分布特征；利用霍夫圆检测确定每个COB模组位置，标记缺陷部分。本发明针对不同的检测问题提取不同分量，提升了检测效率和检测精度。
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公开(公告)号：CN112833821B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011641357.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 华南理工大学 , 广州现代产业技术研究院
IPC: G01B11/25
Abstract: 本发明公开一种高密度IC焊点的微分几何立体微视觉检测系统及方法，该系统包括稠密焊点离散点云获取系统，由两台带有金相显微镜的彩色CCD数字相机构成的双目立体视觉系统和半球形LED阵列照明系统组成；焊点微分几何特征参数计算模块以空间离散点法向量为依据的主方向和主曲率估计方法，对焊点表面离散点云脊点提取和脊线跟踪；焊点分类决策模块基于Frenet活动标架的焊点类型模型匹配规则，实现对焊点快速准确检测分类。本发明利用双目微视系统并通过微分几何理论实现焊点表面离散点云特征提取，为微米级三维重构提供一种新途径，降低以CT扫描进行微米级重构成本；基于微分几何特征的脊线分析方法大大简化焊点识别分类过程。
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公开(公告)号：CN107546262A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581574.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107302027A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710537847.7
申请日：2017-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/41725 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体层和一层半导体层构成，其中半导体层靠近栅极绝缘层；所述的绝缘体层材料为具有绝缘特性的二元氧化物AO，半导体层为具有半导体特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金属元素。本发明采用不同的两种氧化物堆叠起来而成为薄膜晶体管的有源层，能够在室温下通过磁控溅射方式制备，制备工艺简单，且不需要退火处理，所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性。
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公开(公告)号：CN107507866B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710582068.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/22
Abstract: 本发明属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本发明的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN107425049A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710367112.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管及制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。本发明采用非连续的类岛状TCO薄膜能够有效降低其导电性，而低载流子的薄膜连接两个相邻TCO薄膜，使电子能够在相邻晶粒间有效传输并且维持一个理想的关态电流。
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公开(公告)号：CN107170831A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710447559.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/78603 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法。所述纳米纸衬底薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。其制备方法为：在硬质衬底上旋涂纳米纤维素溶液，制备纳米纸衬底，然后依次通过射频磁控溅射室温制备缓冲层，通过直流磁控溅射室温制备栅极，通过射频磁控溅射室温制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上室温沉积制备有源层，再通过真空蒸发镀膜室温制备源/漏电极，得到所述纳米纸衬底薄膜晶体管。本发明采用纳米纸衬底并使用真空沉积技术室温下制备，制备方法简单、绿色环保。所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性的优点。
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公开(公告)号：CN105679833B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610020616.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。
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