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公开(公告)号：CN101876539A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910241922.0
申请日：2009-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/16
Abstract: 一种利用显微镜测量自撑膜弹性变形量的方法，属于薄膜性能测量领域。其特征在于以下步骤：(1)选择基片材料，并在其上制作有机膜；(2)在有机膜材料上面制作金属膜层以及光栅做为标记图形；(3)于基片另一面进行湿法腐蚀，仅留下有机薄膜与金属膜层作为自撑膜，将标记图形保留在自撑膜区域；(4)将(3)所得结构安装在一个腔体内，构成一个密封压力腔；(5)将压力腔放在显微镜载物台上，改变腔体压力，薄膜变形，目镜观察到的标记图形清晰度改变，调节物镜焦距，并通过电感测位仪测量载物台的移动量，由此得薄膜形变量。该方法设备简易、操作简单，对于自撑膜以及其他类型薄膜的形变量测量都具有适用性和实用性。
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公开(公告)号：CN101792111A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910243533.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。本发明在微/纳浮雕结构的制备方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100498208C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410098974.4
申请日：2004-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开一种全新的显微定位加力观测板，由用于显微定位及比较观察的微结构层和用于承载加力板的基底组合而成，通过微结构层的图形或标注对比观察判断被观察物大小、形状，实现定位观测。本发明用微细加工的方法制作不同形状的微结构或标尺用作显微定位及对比基准，再将微结构层与基底层采用多种方式组合得到显微定位加力观测板。本发明可用于生物力学、细胞学等多种需要显微形貌观测的领域，如：细胞受激反应观测、定位观察、对比观察、细胞计数、被测物大小及类型初步判定，具有方法实用、简单；加力方式灵活、多样；低成本、低污染等优点。
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公开(公告)号：CN1975507A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610165157.5
申请日：2006-12-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 添加导引光的条阵大功率半导体激光器(High－Power Laser Diode Bar，简称LD)的整形方法：(1)通过计算光纤纤芯半径和孔径角一半的乘积，以及LD光束在快慢轴两个方向上的光参数积，确定对LD光束整形所需要折叠的次数，制作高反射效率的整形器；(2)采用快慢轴准直透镜阵列对分别对LD的快慢轴两个方向进行准直，得到条形的准直光斑；(3)安装整形器，实现光束的整形；(4)安装聚焦透镜和光纤，调节光纤到合适的位置，使输出的LD的功率最大；(5)从整形器的合适位置入射导引光，调节导引光到适当的位置，使从光纤输出的导引光的光功率达到最大。本发明光路设计紧凑合理，不改变LD的光路，避免了在LD光路中引入新的散射和反射损失，保证了LD的光路稳定性。
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公开(公告)号：CN1912563A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610112431.2
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 基于微光学技术的大气湍流光学效应实验室模拟系统，它由随机位相片及传动装置组成，传动装置带动随机位相片转动，以模拟大气湍流对光波位相的动态调制效应。本发明具有准确性好、湍流的时间、空间相干长度可独立调节、可动态模拟、系统紧凑、成本较低的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1219224C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN01108437.5
申请日：2001-05-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B3/08
Abstract: 本发明提供了一种面型保真度高，可刻蚀深度大的制作连续深浮雕微透镜阵列的方法。本发明通过刻蚀深度和刻蚀口径计算所要刻蚀的微透镜阵列浮雕的剖面图，并根据刻蚀深度-曝光量的关系对获得的掩模单元图形进行优化，由优化后的掩模图形进行曝光、显影、坚膜，完成微透镜阵列的制作。本发明能在刻蚀深度比较大的情况下，高保真地将掩模图形传递到光刻胶上，制作的微透镜阵列的浮雕深度比现有技术提高六倍。
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公开(公告)号：CN1385715A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01108437.5
申请日：2001-05-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B3/08
Abstract: 本发明提供了一种面型保真度高,可刻蚀深度大的制作连续深浮雕微透镜阵列的方法。本发明通过刻蚀深度和刻蚀口径计算所要刻蚀的微透镜阵列浮雕的剖面图,并根据刻蚀深度－曝光量的关系对获得的掩模单元图形进行优化,由优化后的掩模图形进行曝光、显影、坚膜,完成微透镜阵列的制作。本发明能在刻蚀深度比较大的情况下,高保真地将掩模图形传递到光刻胶上,制作的微透镜阵列的浮雕深度比现有技术提高六倍。
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公开(公告)号：CN1346061A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN00116117.2
申请日：2000-09-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作微透镜列阵的方法。该方法包含设计、制作二元掩模,将掩模经光学系统投影在光刻材料上,在曝光过程中移动掩模,刻蚀、复制等步骤。该方法克服了二元光学方法、激光直写技术、光刻热熔法等方法存在的缺陷和上述方法在制作大面积、大深度的连续浮雕微透镜列阵时的工艺困难。与上述方法比较,本发明制作工序少、生产成本低、生产的连续浮雕微透镜列阵成像质量好。故该方法可推广应用于高质量的微透镜列阵批量生产。
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公开(公告)号：CN102560565B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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公开(公告)号：CN102556950B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210026732.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。
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