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公开(公告)号：CN120041907A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510208605.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞电化学氧化液及其应用，碲镉汞电化学氧化液可用于碲镉汞表面的钝化。该氧化液的优点在于：氧化后的碲镉汞表面具有较少的表面电荷密度(Nf)，氧化后的碲镉汞有效少子寿命也更长。以中波碲镉汞材料(λc约5.4um)为例，使用该氧化液处理后的碲镉汞晶片，其表面Nf可低至2.48×1010cm‑2q‑1V‑1，总体上比常规氧化的碲镉汞表面电荷密度小一个数量级。碲镉汞有效少子寿命达到了1.2μs，比常规氧化处理的碲镉汞晶片平均有效少子寿命高约1倍。
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公开(公告)号：CN119767805A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961686.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直型碲镉汞红外探测器及制作方法，垂直型碲镉汞红外探测器包括基板和设置于基板的上表面之上的具有阳极氧化层的碲镉汞材料层；碲镉汞材料层的下表面设置下电极，碲镉汞材料层的上表面设置上电极，基板的上表面设置有过渡电极层；其中过渡电极层与下电极通过铟柱阵列倒焊互连。本发明的垂直型碲镉汞光导器件结构，使得探测器内部的电场由水平分布改为垂直分布，大幅减小探测器电阻，在相同的偏置条件下可有效减小探测器的功耗。此外，垂直型碲镉汞探测器更容易偏置在恒压模式下，具有更好的响应线性度，对于傅里叶变换光谱仪应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119384094A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411516605.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及红外光电器件领域，特别是一种表面无金属反射层的红外光导探测器，包含光电响应区、非光电响应区、电极互连区和衬底。光电响应区的上方，是正面光照探测区。光电响应区和非光电响应区间隔排列。在光电响应区和非光电响应区的下方是位于背面的电极互连区。电极互连区包含正极区和负极区。光电响应区的背面同时连接到正极区和负极区，在光电响应区中由光电效应产生的载流子，经正极区或者负极区进入或离开。非光电响应区的背面连接到正极区和负极区之一。在电极互连区的下方是衬底。本发明还包含制备方法。本发明的金属电极区在光电响应区背面，且在正面保留了碲镉汞材料，解决了由于电极金属表面的强烈反射光的存在影响干涉效果的问题。
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公开(公告)号：CN116314420A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027641.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , G01K7/16 , G01K15/00 , H01L31/0392 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
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公开(公告)号：CN103579406A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310469889.3
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本发明的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101261998A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN113458995A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110674881.5
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明公开了一种倒装式聚四氟乙烯半导体晶片夹具，可将半导体晶片以倒置的方式夹持，包含夹具主体、夹具底板、螺母和螺杆四个结构。所述夹具主体的中心设计了一个凹腔，用于放置半导体晶片。为了防止倒置后的晶片脱落，设计了一个夹具底板。夹具底板中心有一个中心通孔，且该中心通孔直径小于半导体晶片直径。夹具主体和夹具底板通过四个螺杆连接。另外，螺杆长度的长度远大于夹具主体固定通孔和夹具底板固定通孔长度之和，螺杆顶端突出于夹具底板，起到一个支撑腿的作用，这种设计有利于溶液通过夹具底板中心通孔进行溶液交换，提高溶液反应效率。
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公开(公告)号：CN105655237A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610025472.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0209 , H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料的表面清洗方法，其包括对清洗液的选择和清洗步骤。针对碲镉汞表面存在的沾污，本发明选用MOS级三氯乙烯、溴-乙醇、清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行清洗处理。另外，合理的清洗步骤能获得较好的清洗效果。首先，本发明对碲镉汞表面进行三氯乙烯的兆声清洗，目的是去除表面有机物。然后，对碲镉汞表面进行溴-乙醇腐蚀，目的是去除表面损伤和部分沾污。最后，先后使用清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行兆声清洗，目的是去除表面离子沾污。本发明的优点是：对离子沾污的清洗效果显著，清洗效果稳定，引入新污染少。
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公开(公告)号：CN102354714A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252229.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN102004002A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010276188.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有参考元结构的碲镉汞红外光电导探测器，其参考元具有以下结构：衬底；环氧胶层；第一面碲镉汞氧化层；体材料碲镉汞层；第二面碲镉汞氧化层；二氧化硅绝缘层；负胶绝缘层；金属铟层；金属金层。该参考元特征在于：在边缘光敏面上覆盖双层绝缘层、红外光吸收层和红外光反射层。这种具有参考元的碲镉汞红外探测器的优点是：解决碲镉汞红外探测器温度飘移的问题，采用差分电路来取代温度补偿电路，这样不仅可以减少环境温度变化对于碲镉汞探测器准确性的影响，而且可以极大的简化电路结构；不仅可用于低速运动物体的温度测量，而且可用于高速运动物体的温度测量；响应速度快，具有自补偿功能。
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