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公开(公告)号：CN109142414A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810967001.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2251
CPC classification number: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子能谱分布测试方法，包括双层栅网球形二次电子收集器的结构、信号测试回路与测试流程；本发明的有益效果是：本发明的二次电子能谱分布测试方法，用于对金属材料样品的二次电子能谱分布进行测量，可以通过在偏压栅网上接入负偏压，对样品表面发射出的二次电子进行能量甑选，从而测得二次电子信号随负偏压的变化曲线，进而得到二次电子能谱分布曲线；双层栅网球形二次电子收集器，可以接收到整个空间中的二次电子，不仅可以对二次电子进行能量甑选，还可以测得二次电子能谱随电子入射角度的变化曲线；本发明可为金属材料表面二次电子发射特性改性效果提供评估依据。
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公开(公告)号：CN109060855A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810965994.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种金属表面二次电子发射系数测试方法，所述方法包括：采用双层栅网球形二次电子收集器收集金属材料样品表面发射出的二次电子，通过偏压栅网接正负50V偏压对二次电子进行能量甄选；实现金属材料表面二次电子发射特性改性效果评估与改性机制分析对金属材料二次电子发射系数的测试需求，分别测得金属材料表面的真二次电子发射系数、电子背散射系数和总二次电子发射系数，以实现一种测试精度高、测试结果完备的二次电子发射系数测试方法。
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公开(公告)号：CN107739859A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711026835.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢无裂纹锆钛铜合金电极源片的制备工艺，(a)采用金属钛、金属锆和金属铜作为原料，根据原料的配比，采用水冷铜坩埚电磁感应真空悬浮熔炼的方法制备锆钛铜合金；(b)将步骤(a)得到的锆钛铜合金锭加工成一定形状和尺寸的样品，并对其表面进行一系列预处理；(c)将步骤(b)得到的锆钛铜合金样品进行吸氢反应，制备出成品。本发明的将从更为本质的材料本身着手，重点研制一种性能优良的合金材料，这种合金材料能够在吸氢过程中，通过某些微量元素的钉扎作用，减少因氢化作用产生的体涨和氢脆效应。
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公开(公告)号：CN105848403A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
CPC classification number: H05H13/00 , A61B6/037 , H05H7/00 , H05H2277/113
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN103978215B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa -5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104835713A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510275757.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及离子迁移谱仪离子门控制技术领域，具体公开了一种离子迁移谱仪离子门控制器及其控制方法，离子门控制器包括高压电源、给电极环供电的分压电阻电路、两路可调电源，分压电阻电路一端连接高压电源、另一端接地，所述分压电阻电路包括多个串联的分压电阻，两路可调电源的输出端各连接一个离子门电极。本发明可对离子门两个电极的电位进行任意调节，可以对离子门进行对称或者非对称控制，控制效果好；整个电路的信号控制无需悬浮在高压下，结构简单，应用方便；可以调整离子门两个电极之间的电极差，可适配于多种离子迁移谱仪，通用性强。
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公开(公告)号：CN108896594B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次(56)对比文件陈达新;常天海;秦晓刚.空间材料二次电子发射特性智能测试系统的设计.真空与低温.2009,(第03期),170-173、184.王洁.新一代加速器真空室结构材料表面处理及二次电子特性研究《.中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2018,(第02期),C040-1.
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公开(公告)号：CN107027236B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710405958.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开了中子发生器，包括绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。
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公开(公告)号：CN109100380B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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公开(公告)号：CN109100380A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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