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公开(公告)号：CN103338580A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310252732.5
申请日：2013-06-25
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H7/14
Abstract: 本发明提供了一种带电粒子真空加速结构。所述加速结构由金属材料层和绝缘材料层交替叠加而成，结构内部腔体实现真空。本发明的真空绝缘性能明显好于全部由绝缘材料构成的结构，可以实现较高的工作电场强度，进而实现将带电粒子以通常1.5倍以上的加速梯度进行加速，实现粒子加速器的小型化。
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公开(公告)号：CN108896594B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次(56)对比文件陈达新;常天海;秦晓刚.空间材料二次电子发射特性智能测试系统的设计.真空与低温.2009,(第03期),170-173、184.王洁.新一代加速器真空室结构材料表面处理及二次电子特性研究《.中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2018,(第02期),C040-1.
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公开(公告)号：CN113529041B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110791204.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了抑制绝缘介质材料二次电子发射的离子束注入装置及方法，离子束注入装置包括真空弧离子束源系统、真空辅助系统和离子注入靶盘系统，所述真空弧离子束源系统包括离子束高压加速电源、离子束引出电源、等离子体电源、真空弧离子源和接地栅网。通过在绝缘介质材料表面注入能量为几十至一百keV的金属离子，通过离子束注入，在材料表面离子束射程范围内，产生离子束辐照缺陷，提高材料内部真二次电子与载流子碰撞损失能量，进而被辐照缺陷俘获的概率，从而显著降低材料的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN109100380B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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公开(公告)号：CN109100380A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108896596A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811086081.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台，包括载台本体，所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段，所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联，且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件；还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号，降低被测信号受到的干扰，从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN107315137A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710692823.9
申请日：2017-08-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R31/12
CPC classification number: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了绝缘微堆测试装置，包括一个整体呈圆筒状的有机玻璃支撑座，其底部为一个圆环状的底板，在有机玻璃支撑座内设置有用于将绝缘微堆样品固定的下电极和上电极，上电极、下电极、绝缘微堆样品、以及有机玻璃支撑座之间形成密闭的绝缘油空腔。本发明模拟了样品的实际使用环境，使绝缘微堆样品的中间区域为真空环境，外侧为绝缘油环境，这样的结构考核的耐压值就是样品内侧与真空区域相接触的沿面的耐压值，使测得的实验数据更加真实可靠。
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公开(公告)号：CN104202897B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN103915305B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410156712.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置，包括阳极（1）、阴极（2）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）、触发电阻（5）以及连接在阴极（2）下端的阴极固定导电接头（6），上述阳极（1）由中空圆筒状的阳极支撑体（11）和连接在阳极支撑体（11）上端的环形阳极（12）构成，上述触发电阻（5）、触发极（3）、阴极-触发极绝缘件（4）和阴极（2）从外至内依次设置在阳极支撑体（11）内。本发明的触发电阻内置在真空弧离子源装置内，结构紧凑、体积小、节省安装空间，并且保证了电接触和绝缘可靠性，并能有效改善分布参数。
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公开(公告)号：CN103984002A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410172550.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统和方法，涉及高能物理技术，本发明的系统包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本发明的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H+束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
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