公开(公告)号：CN115896697A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211379414.0

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 王梦倩 ,  王世琳 ,  黄浩斐 ,  邓洁 ,  刘尊 ,  龚恒玥 ,  贺新柳 ,  唐可 ,  汪琳 ,  王林军 ,  黄健

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法，采用共溅射法，选择合适的掺杂剂，实现了Ga2O3薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga2O3和作为掺杂剂的ZnO、B2O3、In2O3或Al2O3靶材分别置于射频靶位上，利用磁控共溅射的方法得到掺杂的Ga2O3薄膜，从而调控Ga2O3薄膜禁带宽度。改变Ga2O3薄膜中掺入的元素种类可控制其禁带宽度调控的方向。改变靶的溅射功率，可以控制Ga2O3薄膜中元素掺入的量，从而控制Ga2O3薄膜禁带宽度改变的大小。再将所得的Ga2O3薄膜进行退火处理，使其结构更加均匀致密。本禁带宽度调控方法操作简单、成本较低、效果显著。本发明得到的不同禁带宽度的Ga2O3薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN112103350A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010835636.3

申请日：2020-08-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈哲 ,  别佳瑛 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  黄浩斐 ,  李洪伟 ,  黄健 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN108615786B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810538191.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 王处泽 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  薛瑶 ,  王林军 ,  梁小燕 ,  师好智 ,  黄健 ,  唐可 ,  凌立文

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN110299287A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910547459.6

申请日：2019-06-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  杨帆 ,  别佳瑛 ,  邹天宇 ,  王同营 ,  马云诚 ,  陈卓睿 ,  黄浩斐 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/463 ,  H01L21/465 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法，所述CdZnTe薄膜表面进行机械抛光和化学抛光，即依次进行使用Al2O3抛光粉的物理机械抛光和使用溴甲醇溶液的化学腐蚀抛光。相比于未经表面处理的CdZnTe薄膜，本发明所采用的表面处理得到的CdZnTe薄膜表面缺陷和杂质更少，表面粗糙度更小，薄膜表面质量更好。本发明制备的薄膜材料对于射线探测、辐射探测、天体物理、国防安保以及医疗检测等方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN108550634A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810212660.4

申请日：2018-03-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  李冰 ,  马云诚 ,  胡艳 ,  邹天宇 ,  唐可 ,  于舜杰 ,  黄浩斐 ,  王林军

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明公开了一种采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法，该辐射探测器采用电极-半导体-电极三明治器件结构，即依次由氧化锌基导电氧化物薄膜电极、碲锌镉和氧化锌基导电氧化物薄膜电极三部分层叠组装的结构。本发明采用氧化锌基导电氧化物薄膜电极代替传统的金属电极。与传统碲锌镉辐射探测器相比，氧化锌基导电氧化物薄膜电极导电性能良好，在碲锌镉表面的附着力远高于金属，接触电阻更低，可靠性更高，大大提高了探测器的稳定性和使用寿命。本探测器可广泛应用于核医学，航空航天以及安全防护等众多辐射监测领域。对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域辐射监控、安全防护方面具有重要意义。

公开(公告)号：CN102709395B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210191009.6

申请日：2012-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  蔡良敏 ,  黄健 ,  唐可 ,  马礼敏 ,  张继军 ,  姜佳蔚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。

公开(公告)号：CN103952675A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173480.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  任兵 ,  沈心蔚 ,  黄健 ,  杨晓蓉 ,  杨惠敏 ,  唐可 ,  沈忠文 ,  夏义本

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。

公开(公告)号：CN102386281B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110359607.5

申请日：2011-11-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  潘潇雨 ,  曾庆锴 ,  庄晓凤 ,  刘晟 ,  黄健 ,  唐可 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米金晶刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。

公开(公告)号：CN101950769B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010215805.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  曾庆锴 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。

公开(公告)号：CN101887921A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010215756.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  贡伟明 ,  夏义本

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。