公开(公告)号：CN115642197A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211379413.6

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 唐可 ,  刘尊 ,  黄浩斐 ,  邓洁 ,  王世琳 ,  王梦倩 ,  龚恒玥 ,  刘川 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，所述异质结依次由单晶p‑Si衬底、本征Ga2O3薄膜和n型Ga2O3薄膜叠加而成，分别在p‑Si衬底和n型Ga2O3薄膜上生长欧姆接触电极制备日盲紫外探测器。本发明采用插入高阻本征层的方法来改善日盲紫外探测器的性能，相比于传统的pn结器件结构，PIN型探测器具有更小的暗电流以及更高的信噪比。此外，本发明以Si为p型层制备PIN型日盲紫外探测器，与其它探测器相比具有低成本，易集成的优势，在导弹追踪、无线通信、火焰探测、臭氧层空洞监测、电弧检测等军事和民用领域具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN115558890A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211379912.5

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  邓洁 ,  黄浩斐 ,  王梦倩 ,  王世琳 ,  刘尊 ,  顾客云 ,  李洪伟 ,  丽娜.阿扎提 ,  张磊 ,  唐可 ,  王林军

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法，通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓，生成掺钽的氧化镓薄膜；将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀，结构致密，且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单，工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义，在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115896697A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211379414.0

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 王梦倩 ,  王世琳 ,  黄浩斐 ,  邓洁 ,  刘尊 ,  龚恒玥 ,  贺新柳 ,  唐可 ,  汪琳 ,  王林军 ,  黄健

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3薄膜禁带宽度调控的工艺方法，采用共溅射法，选择合适的掺杂剂，实现了Ga2O3薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga2O3和作为掺杂剂的ZnO、B2O3、In2O3或Al2O3靶材分别置于射频靶位上，利用磁控共溅射的方法得到掺杂的Ga2O3薄膜，从而调控Ga2O3薄膜禁带宽度。改变Ga2O3薄膜中掺入的元素种类可控制其禁带宽度调控的方向。改变靶的溅射功率，可以控制Ga2O3薄膜中元素掺入的量，从而控制Ga2O3薄膜禁带宽度改变的大小。再将所得的Ga2O3薄膜进行退火处理，使其结构更加均匀致密。本禁带宽度调控方法操作简单、成本较低、效果显著。本发明得到的不同禁带宽度的Ga2O3薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN115632065A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211379415.5

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 王世琳 ,  王梦倩 ,  黄浩斐 ,  邓洁 ,  刘尊 ,  龚恒玥 ,  贺新柳 ,  唐可 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法，实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极，与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式，整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、低阻氧化物半导体中间层和金属电极四部分进行层叠组装而成；其中氧化镓材料可以包括单晶、多晶以及非晶氧化镓。本发明设计的复合电极引入低阻复合中间层，解决传统多层金属叠层电极在合金化的过程中易引起界面反应的问题，新型复合电极减少界面的影响，改善氧化镓材料电极接触特性，实现对氧化镓材料更稳定的欧姆接触，使氧化镓器件的电学性能更加可靠，在氧化镓电力电子器件领域中有广泛的应用前景。