公开(公告)号：CN117293217A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311230354.0

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 丽娜·阿扎提 ,  李洪伟 ,  黄浩斐 ,  唐可 ,  黄健

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  C30B28/12 ,  C30B29/46 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉X射线探测器及其制备方法与应用，包括Al2O3衬底、碲锌镉厚膜、金属电极和带有像素电极的厚膜晶体管。Al2O3衬底上依次沉积碲锌镉厚膜和金属电极，金属电极与厚膜晶体管上的像素电极倒置连接。厚膜晶体管采用倒装结构，通过倒装结构使Al2O3衬底成为X射线的入射窗口。与现有技术相比，本发明采用Al2O3衬底和厚膜晶体管倒装结构，可以提升碲锌镉厚膜的质量和探测器的检测能力，对X射线响应良好。

公开(公告)号：CN115558890A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211379912.5

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  邓洁 ,  黄浩斐 ,  王梦倩 ,  王世琳 ,  刘尊 ,  顾客云 ,  李洪伟 ,  丽娜.阿扎提 ,  张磊 ,  唐可 ,  王林军

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法，通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓，生成掺钽的氧化镓薄膜；将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀，结构致密，且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单，工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义，在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112103350A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010835636.3

申请日：2020-08-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈哲 ,  别佳瑛 ,  陈卓睿 ,  尚艺 ,  黄浩斐 ,  李洪伟 ,  黄健 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉积碲化镉、硫化锌的复合钝化层。之后在N2氛围下进行退火。经过光刻和干法刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在膜上上沉积金电极。钝化层的存在使得抛光、腐蚀后的碲锌镉膜表面受到良好的保护，碲锌镉膜表面漏电流减小，从而改善碲锌镉探测器的性能，本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN115799281A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211379432.9

申请日：2022-11-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄浩斐 ,  李洪伟 ,  丽娜·阿扎提 ,  张磊 ,  贺新柳 ,  李浩龙 ,  王林军 ,  唐可 ,  黄健

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法，还涉及这种具有像素阵列结构的大尺寸碲锌镉厚膜探测器的制备方法。所述探测器采用衬底‑背电极‑半导体‑面电极的叠层结构的组合形式。相较于传统碲锌镉探测器，本方法采用碲锌镉厚膜、像素阵列结构的面电极以及导电氧化物薄膜电极，所制备的探测器尺寸大、具有空间分辨能力且服役性能好。本发明制备的探测器对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

公开(公告)号：CN117199168A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311231217.9

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 李洪伟 ,  黄健 ,  丽娜·阿扎提 ,  黄浩斐 ,  张磊 ,  林龙辉 ,  徐可 ,  钱智超 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种低噪声高灵敏度的碲锌镉厚膜核辐射探测器及其制备方法，包括由下至上依此堆叠而成的衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道层以及响应层；所述沟道层为氧化锌基薄膜，所述响应层为碲锌镉厚膜；所述沟道层上方沉积了由源电极和漏电极构成晶体管，所述碲锌镉厚膜位于源电极和漏电极之间；所述沟道层与响应层构成异质结，其中制备方法为S1衬底清洗及预处理；S2栅电极的制备；S3栅绝缘层的制备；S4沟道层的制备；S5响应层的制备；S6源电极、漏电极的制备。与现有技术相比，本发明提高了载流子迁移率、实现了极低剂量和高灵敏度的检测。

公开(公告)号：CN112103175A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010884690.7

申请日：2020-08-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  胡艳 ,  尚艺 ,  陈卓睿 ,  李洪伟 ,  唐可 ,  王林军

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。